用于高场MRI线圈的电磁屏蔽

    公开(公告)号:CN101171526B

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN200680015497.8

    申请日:2006-04-19

    CPC classification number: G01R33/422 G01R33/3628

    Abstract: 一种用于磁共振成像的射频线圈包括限定成像体积的有源线圈元件(70,701,170,270)。该有源线圈元件包括具有第一截面维度(dactive)的第一开口端。屏蔽线圈元件(72,721,722,723,724,725,172,1722,272)基本上环绕在该有源线圈元件周围。该屏蔽线圈元件具有收缩开口端(88),其被设置成与该有源线圈元件的第一开口端相邻近,并且具有比该屏蔽线圈元件的截面维度(dShield)小的收缩截面维度(dconst)。在一些实施例中,该射频线圈还包括显著大于该屏蔽线圈元件(72,721,722,723,724,725,172,1722,272)并且包围该有源线圈元件和屏蔽线圈元件的外部屏蔽线圈元件(100)。

    具有可选择视场的RF体线圈

    公开(公告)号:CN101198882A

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:CN200680021262.X

    申请日:2006-06-13

    CPC classification number: G01R33/34046 G01R33/3664

    Abstract: 一种用于磁共振成像或光谱分析的射频线圈,包括围绕一个感兴趣区域(14)的多个通常平行的传导构件(70)。一个或多个端构件(72,74)被通常置于与多个平行的传导构件横断的位置。一个通常是圆柱形的射频屏蔽罩(32)围绕多个通常平行的传导构件。可转换电路(80,80’)可选择地具有:(i)第一转换配置(90,90’),该配置中传导构件可操作地与一个或更多端构件连接;和(ii)第二转换配置(92,92’),该配置中传导构件可操作地与射频屏蔽罩连接。射频线圈在第一转换配置中以鸟笼共振模式操作,而在第二转换配置中以TEM共振模式操作。

    用于高场MRI线圈的电磁屏蔽

    公开(公告)号:CN101171526A

    公开(公告)日:2008-04-30

    申请号:CN200680015497.8

    申请日:2006-04-19

    CPC classification number: G01R33/422 G01R33/3628

    Abstract: 一种用于磁共振成像的射频线圈包括限定成像体积的有效线圈元件(70,701,170,270)。该有效线圈元件包括具有第一截面维度(dactive)的第一开口端。屏蔽线圈元件(72,721,722,723,724,725,172,1722,272)基本上环绕在该有效线圈元件周围。该屏蔽线圈元件具有收缩开口端(88),其被设置成与该有效线圈元件的第一开口端相邻近,并且具有比该屏蔽线圈元件的截面维度(dShield)小的收缩截面维度(dconst)。在一些实施例中,该射频线圈还包括显著大于该屏蔽线圈元件(72,721,722,723,724,725,172,1722,272)并且包围该有效线圈元件和屏蔽线圈元件的外部屏蔽线圈元件(100)。

    用于B0偏移的动态匀场设定校准

    公开(公告)号:CN1934458A

    公开(公告)日:2007-03-21

    申请号:CN200580008417.1

    申请日:2005-02-17

    CPC classification number: G01R33/56563 G01R33/3875

    Abstract: 一种磁共振成像方法,包括:确定主B0磁场响应于以所选的匀场电流给一个或多个匀场线圈(60)供能的幅值偏移;以该所选的匀场电流给该一个或多个匀场线圈(60)供能;和在供能过程中执行校正以对该确定的主B0磁场的幅值偏移进行校正。其中确定幅值偏移包括:计算由以所选的匀场电流给该一个或多个匀场线圈(60)供能而产生的磁场的一个或多个麦克斯韦项;和基于该计算的一个或多个麦克斯韦项,确定主B0磁场的幅值偏移。

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