公开(公告)号：CN101515548A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910118588.X

申请日：2005-06-24

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·P·J·皮特斯 ,  D·M·d·李尤瓦 ,  F·K·d·泰杰 ,  Y·J·-R·西蒙

IPC: H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管以及通过在基板(480)上进行沉积来制造场效应晶体管的方法，该方法包括材料的湿法化学沉积，该材料反应形成半导电的材料。沉积的材料包括镉、锌、铅、锡、铋、锑、铟、铜或汞。该湿法化学沉积可以通过化学浴沉积或喷雾热解完成。不需要真空沉积工艺。

公开(公告)号：CN1977388A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200580021705.0

申请日：2005-06-24

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·P·J·皮特斯 ,  D·M·d·李尤瓦 ,  F·K·d·泰杰 ,  Y·J·-R·西蒙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/208

CPC classification number: H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管以及通过在基板(480)上进行沉积来制造场效应晶体管的方法，该方法包括材料的湿法化学沉积，该材料反应形成半导电的材料。沉积的材料包括镉、锌、铅、锡、铋、锑、铟、铜或汞。该湿法化学沉积可以通过化学浴沉积或喷雾热解完成。不需要真空沉积工艺。

公开(公告)号：CN101373791B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810161935.2

申请日：2005-06-24

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·P·J·皮特斯 ,  D·M·d·李尤瓦 ,  F·K·d·泰杰 ,  Y·J·-R·西蒙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管以及通过在基板(480)上进行沉积来制造场效应晶体管的方法，该方法包括材料的湿法化学沉积，该材料反应形成半导电的材料。沉积的材料包括镉、锌、铅、锡、铋、锑、铟、铜或汞。该湿法化学沉积可以通过化学浴沉积或喷雾热解完成。不需要真空沉积工艺。

公开(公告)号：CN101373791A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810161935.2

申请日：2005-06-24

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·P·J·皮特斯 ,  D·M·d·李尤瓦 ,  F·K·d·泰杰 ,  Y·J·-R·西蒙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L21/368

CPC classification number: H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管以及通过在基板(480)上进行沉积来制造场效应晶体管的方法，该方法包括材料的湿法化学沉积，该材料反应形成半导电的材料。沉积的材料包括镉、锌、铅、锡、铋、锑、铟、铜或汞。该湿法化学沉积可以通过化学浴沉积或喷雾热解完成。不需要真空沉积工艺。