公开(公告)号：CN101263617A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200680033869.X

申请日：2006-09-08

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·德科克 ,  A·范迪肯 ,  S·H·P·M·德温特 ,  B·M·W·兰格维尔德-沃斯 ,  J·J·A·M·巴斯蒂安森 ,  A·J·J·M·范布里门 ,  N·M·M·基根

IPC: H01L51/54

CPC classification number: H01L51/5048 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1425 ,  C09K2211/1433 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/004 ,  H01L51/5096 ,  H05B33/14

Abstract: 公开了一种发光器件，包括阳极；阴极；设置在所述阳极和阴极之间的发光层；以及设置在所述阳极和所述发光层之间包含导电聚合物和聚合酸的缓冲层。在至少部分所述缓冲层中，所述聚合酸的酸性基团已转化为非酸性的基团，这使光致发光的酸猝灭最小化。还公开了制造这种器件的方法。

公开(公告)号：CN101346408A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680048623.X

申请日：2006-11-22

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： A·范迪肯 ,  K·布鲁纳 ,  B·M·W·兰格维尔德-沃斯 ,  H·F·M·斯库 ,  J·J·A·M·巴斯蒂安森 ,  N·M·M·基根

IPC: C08G61/00 ,  C08G61/12 ,  C08G73/00 ,  H01L51/00

CPC classification number: C08G73/0611 ,  C08G61/124 ,  H01L51/0035

Abstract: 公开了一种包含具有式(I)的单体单元的聚合咔唑化合物：－(C1)－(C2)x－(C3)y－(P)n－ (I)，其中x和y等于0或1，和n是等于或大于0的整数。P表示苯基，及C1、C2和C3表示咔唑单元。三重波函数在联苯结构之上的离域通过在聚合物主链中在两个咔唑单元连接的位置引入扭曲而被降低，由此三重态能量被提高。该扭曲由取代基(例如，甲氧基或3，7－二甲基辛氧基)引入。该聚合咔唑化合物可以用作为半导体材料。该半导体材料可以用作为发光发射体用的主体基质。

公开(公告)号：CN101072754B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200580042306.2

申请日：2005-12-05

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： K·布伦纳 ,  A·范迪肯 ,  J·W·霍福斯特拉特 ,  H·F·博尔纳 ,  B·M·W·兰格维尔德-沃斯 ,  N·M·T·基根 ,  J·J·A·M·巴斯蒂安森 ,  H·F·M·斯库

IPC: C07D209/88

CPC classification number: C07D209/88

Abstract: 本发明涉及通式(I)的咔唑化合物和含此类咔唑化合物的半导体材料。此外还涉及此类咔唑化合物的制备方法，以及其作为半导体材料的用途，特别是作为磷光发射体的主体基质，(I)其中-R1和-R2在每次出现时是相同或不同的，是-OR41、-OR42、-SR41、-SR42、-NR41R45或-NR42R45，和-R3和-R4在每次出现时是相同或不同的，是R41或R42，R41是C1-C20环状或非环状的直链或支链烷基，任选地被-O-、-OC(＝O)-、-C(＝O)O-、-S-、仲氮、叔氮、季氮、-CR45＝CR46-、-C≡C-、-C(＝O)-、-C(＝O)NR45-、-NR45C(＝O)-、-S(＝O)-、-S(＝O)2-或-X6-中断一次或多次，和/或被R42、R7或R8取代一次或多次；R42是C5-C30芳基，其中任选地，一个或多个芳碳原子被N、O或S代替，并且任选地一个或多个芳碳原子携带基团R41、R7或R8；R7是-CN、-CF3、-CSN、-NH2、-NO2、-NCO、-NCS、-OH、-F、-PO2、-PH2、-SH、-Cl、-Br或-I；R8是-C(＝O)R45、-C(＝O)OR45、-C(＝O)NR45R46、-NHR45、-NR45R46、-N(+)R45R46R47、-NC(＝O)R45-、-OR45、-OC(＝O)R45、-SR45、-S(＝O)R45或-S(＝O)2R45；R45、R46和R47在每次出现时是相同或不同的，是H、R41或R42；其它取代基定义于权利要求中。

公开(公告)号：CN101072754A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200580042306.2

申请日：2005-12-05

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： K·布伦纳 ,  A·范迪肯 ,  J·W·霍福斯特拉特 ,  H·F·博尔纳 ,  B·M·W·兰格维尔德-沃斯 ,  N·M·T·基根 ,  J·J·A·M·巴斯蒂安森 ,  H·F·M·斯库

IPC: C07D209/88

CPC classification number: C07D209/88

Abstract: 本发明涉及通式(I)的咔唑化合物和含此类咔唑化合物的半导体材料。此外还涉及此类咔唑化合物的制备方法，以及其作为半导体材料的用途，特别是作为磷光发射体的主体基质，(I)其中－R1和－R2在每次出现时是相同或不同的，是－OR41、－OR42、－SR41、－SR42、－NR41R45或－NR42R45，和－R3和－R4在每次出现时是相同或不同的，是R41或R42，R41是C1－C20环状或非环状的直链或支链烷基，任选地被－O－、－OC(＝O)－、－C(＝O)O－、－S－、仲氮、叔氮、季氮、－CR45＝CR46－、－C≡C－、－C(＝O)－、－C(＝O)NR45－、－NR45C(＝O)－、－S(＝O)－、－S(＝O)2－或－X6－中断一次或多次，和/或被R42、R7或R8取代一次或多次；R42是C5－C30芳基，其中任选地，一个或多个芳碳原子被N、O或S代替，并且任选地一个或多个芳碳原子携带基团R41、R7或R8；R7是－CN、－CF3、－CSN、－NH2、－NO2、－NCO、－NCS、－OH、－F、－PO2、－PH2、－SH、－Cl、－Br或－I；R8是－C(＝O)R45、－C(＝O)OR45、－C(＝O)NR45R46、－NHR45、－NR45R46、－N(+)R45R46R47、－NC(＝O)R45－、－OR45、－OC(＝O)R45、－SR45、－S(＝O)R45或－S(＝O)2R45；R45、R46和R47在每次出现时是相同或不同的，是H、R41或R42；其它取代基定义于权利要求中。