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公开(公告)号:CN1630901A
公开(公告)日:2005-06-22
申请号:CN02823567.3
申请日:2002-11-25
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor: J·C·N·里佩斯 , B·A·J·贾科布斯
IPC: G11B7/0045 , G11B7/125
CPC classification number: G11B7/006
Abstract: 本发明涉及一种用于在相变型存储介质上记录标记(1)的方法以及记录设备。通常,一个nT标记(1)是通过一个n-1或更少的写脉冲序列记录的。在慢冷却叠层中,这将导致低质量的标记。本发明提出通过应用多脉冲(3)而增加写脉冲序列中的多脉冲(3)之间的冷却周期,所述多脉冲的脉冲持续时间为Tmp<4ns,且占空周期为Tmp/Tw,其中Tw为参考时钟周期时间且Tw<40ns。以这种方式,即使在巨大数量的直接重写(DOW)周期之后和在宽记录功率和记录速度范围的情况下,也能获得质量非常好的标记(1)。