公开(公告)号：CN102282693A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201080004658.X

申请日：2010-01-11

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： 杰罗恩·H·A·M·范布尔 ,  D·伯特拉姆 ,  J·克里恩 ,  H·施瓦布 ,  E·W·A·扬 ,  A·加塞尔 ,  K·韦斯森巴赫 ,  C·维德 ,  N·皮尔赫 ,  J·H·施托伦维尔克

IPC: H01L51/00 ,  C23C14/28

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/0009 ,  H05K3/101 ,  H05K3/3468 ,  H05K2203/107

Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底(30)上沉积至少一个导电膜(20)的方法，包括步骤：选择膜材料层(10)，其中所述层(10)包括位于前面(11)上的掩模(40)且其中所述层(10)和所述掩模(40)是整体的，将所述层(10)的所述前面(11)安置在所述衬底(30)上，将至少一个激光脉冲(120)施加到所述层(10)的后面(12)上，以便熔化且汽化至少部分所述层(10)从而使熔化的液滴(110)朝向所述衬底(30)推进且沉积在其上，由此形成所述膜(20)，其中所述掩模(40)的至少一个槽(45)限定所述熔化的液滴(110)的分布。

公开(公告)号：CN102282693B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201080004658.X

申请日：2010-01-11

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： 杰罗恩·H·A·M·范布尔 ,  D·伯特拉姆 ,  J·克里恩 ,  H·施瓦布 ,  E·W·A·扬 ,  A·加塞尔 ,  K·韦斯森巴赫 ,  C·维德 ,  N·皮尔赫 ,  J·H·施托伦维尔克

IPC: H01L51/00 ,  C23C14/28

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/0009 ,  H05K3/101 ,  H05K3/3468 ,  H05K2203/107

Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底(30)上沉积至少一个导电膜(20)的方法，包括步骤：选择膜材料层(10)，其中所述层(10)包括位于前面(11)上的掩模(40)且其中所述层(10)和所述掩模(40)是整体的，-将所述层(10)的所述前面(11)安置在所述衬底(30)上，将至少一个激光脉冲(120)施加到所述层(10)的后面(12)上，以便熔化且汽化至少部分所述层(10)从而使熔化的液滴(110)朝向所述衬底(30)推进且沉积在其上，由此形成所述膜(20)，其中所述掩模(40)的至少一个槽(45)限定所述熔化的液滴(110)的分布。