公开(公告)号：CN102933520B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201180028274.6

申请日：2011-05-24

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 原田祐作 ,  寺野克典 ,  后藤猛

IPC: C04B35/581

CPC classification number: H01B3/025 ,  C04B35/581 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/87 ,  C04B2235/9607 ,  H01B19/00 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  Y10T428/268 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种电路基板用氮化铝基板，具有平均粒径为2~5μm的氮化铝晶粒，热导率为170W/m·K以上，在本发明的电路基板用氮化铝基板中，不含枝状晶界相，且在400°C下的击穿电压为30kV/mm以上。此外，本发明还提供一种电路基板用氮化铝基板的制造方法，具备下述工序：将含有氮化铝粉末的原料在压力150Pa以下加热到1500°C，然后，利用非氧化性气体，在压力为0.4MPa以上的加压气氛下升温到1700~1900°C并进行保持，然后以10°C/分钟以下的冷却速度冷却到1600°C。

公开(公告)号：CN102933520A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201180028274.6

申请日：2011-05-24

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 原田祐作 ,  寺野克典 ,  后藤猛

IPC: C04B35/581

CPC classification number: H01B3/025 ,  C04B35/581 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/87 ,  C04B2235/9607 ,  H01B19/00 ,  H01L23/15 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  Y10T428/268 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种电路基板用氮化铝基板，具有平均粒径为2~5μm的氮化铝晶粒，热导率为170W/m·K以上，在本发明的电路基板用氮化铝基板中，不含枝状晶界相，且在400°C下的击穿电压为30kV/mm以上。此外，本发明还提供一种电路基板用氮化铝基板的制造方法，具备下述工序：将含有氮化铝粉末的原料在压力150Pa以下加热到1500°C，然后，利用非氧化性气体，在压力为0.4MPa以上的加压气氛下升温到1700~1900°C并进行保持，然后以10°C/分钟以下的冷却速度冷却到1600°C。