公开(公告)号：CN1956920B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200580008256.6

申请日：2005-02-18

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 佐藤井一 ,  木村启作 ,  川崎卓 ,  冈田拓也

IPC: C01B33/02 ,  C01B33/029

Abstract: 通过本发明的制备方法，能够以工业规模提供作为高性能的发光元件或电子部件用的原料粉末的实用性高的高纯度的硅纳米粒子。所述制备方法具有以下工序：使甲硅烷气体和用于氧化该甲硅烷气体的氧化气体进行相反应，合成含有硅粒子的硅氧化物粒子的工序、在惰性气氛下，在800～1400℃下保持该硅氧化物粒子后，利用氢氟酸除去上述硅氧化物的工序。

公开(公告)号：CN1956920A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580008256.6

申请日：2005-02-18

Applicant: 电气化学工业株式会社

Inventor： 佐藤井一 ,  木村启作 ,  川崎卓 ,  冈田拓也

IPC: C01B33/02 ,  C01B33/029

Abstract: 通过本发明的制备方法，能够以工业规模提供作为高性能的发光元件或电子部件用的原料粉末的实用性高的高纯度的硅纳米粒子。所述制备方法具有以下工序：使甲硅烷气体和用于氧化该甲硅烷气体的氧化气体进行气相反应，合成含有硅粒子的硅氧化物粒子的工序、在惰性气氛下，在800～1400℃下保持该硅氧化物粒子后，利用氢氟酸除去上述硅氧化物的工序。