一种超级电容器用氮掺杂碳包覆硫化钴镍纳米片正极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN117038353A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310460161.8

    申请日:2023-04-25

    Abstract: 本发明提供了一种超级电容器用氮掺杂碳包覆硫化钴镍纳米片正极材料的制备方法,包括:配制硫化钴镍前驱体电沉积液;采用i‑t计时电位法在泡沫镍上原位沉积硫化钴镍纳米片;配置用于制备氮掺杂碳层的前驱体溶液;采用气相沉积聚合(VDP)的方法对硫化钴镍纳米片进行氮掺杂碳包覆。本发明通过简单的工艺,利用NiCo2S4优异的电化学性能以及C层的稳定结构以及增强导电性等作用,制备氮掺杂碳包覆硫化钴镍纳米片正极材料。制得的NC‑NiCo2S4@NF正极极片可灵活调控负载量,最大可达到1800F/g的高比容量,倍率性能为93.3%(从1A/g到10A/g),具有很优异的电化学性能。

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