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公开(公告)号：CN114094557A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111333469.3
申请日：2021-11-11
Applicant: 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H02H9/02
Abstract: 本发明公开了一种基于扩散电阻的输入信号端口的ESD保护电路，包括扩散电阻RP和RN，本发明采用带有偏置的扩散电阻替代传统方案的固定电阻。当扩散电阻进行特定的偏置时，会形成对VDD和VSS的寄生二极管。当ESD冲击到来时，寄生的二极管形成对VDD和VSS的泄放通路，扩散电阻并联形成ESD的二级保护结构。本发明中，扩散电阻须选用N型和P型两种并联，并施加相应的偏置。因为扩散电阻寄生的二极管实现了对VDD和VSS的泄放通路，减少了元器件的使用，可以节省芯片面积。
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