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公开(公告)号：CN107122531B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710240350.9
申请日：2017-04-13
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/04 , G06F119/02
摘要： 本发明公开了一种基于加速寿命试验的高速叶轮寿命评估方法，以涡轮机高速叶轮在加速寿命试验下的寿命预测问题作为切入点，分析小样本数据下试验个数是否满足观察要求，构建了高速叶轮在机械应力作用下寿命特征与应力的关系框架，推算出其寿命评估模型，并详细的说明了各个关键步骤逐步实施的策略，着重展开说明了如何利用威布尔分布描述其寿命分布并得到模型关键参数的估计值的策略。通过在所获得模型中关键参数估计值的基础上结合寿命分布模型得到高速叶轮在给定可靠度和置信水平下的工作寿命置信下限模型，最后结合高速叶轮的实际工作频率等现场数据，推算出高速叶轮的使用寿命年限。
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公开(公告)号：CN107247845A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710446253.5
申请日：2017-06-14
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5018 , G06F17/5045 , G06F2217/78 , G06F2217/80
摘要： 本发明公开一种基于失效物理模型的多芯片组件可靠性分析方法，通过将失效模式与多芯片组件的结构材料等性能参数相关联，建立了一种从多芯片组件失效本质出发的可靠性分析方法；提供一套多芯片组件失效物理分析的规范化流程，该方法实施时并不是依托可靠性寿命数据，而是从多芯片组件的工艺参数信息、材料信息、加工制造、实际使用情况出发进行分析，可有效避免寿命数据不足的难点，减少成本；并且本申请方法从多芯片组件失效的本质出发，刻画产品的失效，为优化多芯片组件结构设计、材料、制造工艺等提供可靠建议，可相对准确地找出产品可靠性薄弱环节，进而得到了与实际情况更为符合的分析结果。
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公开(公告)号：CN109190210A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810942252.4
申请日：2018-08-17
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开了一种基于Saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法。本发明通过参数扫描，可以分析环境温度变化、贮存时间增加、甚至辐射对电路系统功能及性能的影响；可以通过退化分析发现产品温度容差、贮存容差、辐射容差设计的薄弱环节；可以分析电路产品在不同环境温度下的电路性能退化情况，暴露电路设计过程中的可靠性薄弱环节；可以分析电路产品由于长时间工作或贮存导致输出性能退化的趋势，给出产品发生输出性能退化超差故障的时间；还能够为规避或消除辐射影响提供依据，给出相应的设计优化建议。
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公开(公告)号：CN108256276A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810200949.4
申请日：2018-03-12
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开一种基于故障物理的功率电子器件失效分析方法，应用于可靠性领域，通过采用文献调研和实物观察初步确立功率电子器件的失效部位范围，缩小研究目标；通过分析功率电子器件内部结构，设计等效电路；通过改变部分参数分析功率电子器件外特性对功率电子器件模型参数变化的敏感程度，找出显著影响器件动态特性的主导参数，从而找出关键失效部位；建立功率电子器件三维模型，并采用COMSOL仿真对三维模型进行耦合分析；相比现有的其他方法，本发明方法能得出更为准确的分析结果。
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公开(公告)号：CN107122907A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710295266.7
申请日：2017-04-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种机电产品符号化质量特性的分析与故障原因追溯方法，以机电产品的质量形成过程为切入点，着重考虑操作者、机器、材料、加工工艺、环境和测量(5M1E)因素对其质量特性的影响，建立基于产品质量特性影响因素的产品质量特性基因模型；按模型输入要求，收集不同产品故障分析人员对故障产品的评价数据，并依据重要性阈值进行质量特性影响程度的二进制转录，进而形成故障产品的质量特性基因的符号化表达；基于相似性原理，开展故障产品质量特性基因与基因库现存质量特性基因的相似性分析，为故障原因初查与故障源追溯提供必要的信息支撑；最后通过诊断分析，得出引起产品故障的原因。
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公开(公告)号：CN107122907B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710295266.7
申请日：2017-04-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种机电产品符号化质量特性的分析与故障原因追溯方法，以机电产品的质量形成过程为切入点，着重考虑操作者、机器、材料、加工工艺、环境和测量(5M1E)因素对其质量特性的影响，建立基于产品质量特性影响因素的产品质量特性基因模型；按模型输入要求，收集不同产品故障分析人员对故障产品的评价数据，并依据重要性阈值进行质量特性影响程度的二进制转录，进而形成故障产品的质量特性基因的符号化表达；基于相似性原理，开展故障产品质量特性基因与基因库现存质量特性基因的相似性分析，为故障原因初查与故障源追溯提供必要的信息支撑；最后通过诊断分析，得出引起产品故障的原因。
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公开(公告)号：CN108287976B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810173831.7
申请日：2018-03-02
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F30/23
摘要： 本发明公开了一种IGBT基于故障物理及有限元仿真的筛选剖面验证方法，包括以下步骤：S1、根据IGBT结构、功能及服役工况，确定IGBT高加速应力筛选剖面的方案设计，建立初始筛选剖面；S2、基于故障物理确定加速模型，建立初始筛选剖面的加速因子模型，计算筛选剖面的加速因子；S3、对步骤S2完成有效性验证的筛选剖面，建立基于故障物理的IGBT疲劳损伤计算模型，采用有限元仿真计算筛选剖面下IGBT器件的寿命损伤，计算筛选剖面累积损伤，完成剖面的安全性验证。本发明基于故障物理及有限元仿真，克服了传统通过试验进行的筛选验证方法的验证周期长的缺点；由于验证过程借助仿真软件完成，不需要破坏相应的实际器件及实验设备，因此对人力物力的消耗很小。
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公开(公告)号：CN109190210B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810942252.4
申请日：2018-08-17
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明公开了一种基于Saber平台建模仿真的电路性能可靠性分析方法。本发明通过参数扫描，可以分析环境温度变化、贮存时间增加、甚至辐射对电路系统功能及性能的影响；可以通过退化分析发现产品温度容差、贮存容差、辐射容差设计的薄弱环节；可以分析电路产品在不同环境温度下的电路性能退化情况，暴露电路设计过程中的可靠性薄弱环节；可以分析电路产品由于长时间工作或贮存导致输出性能退化的趋势，给出产品发生输出性能退化超差故障的时间；还能够为规避或消除辐射影响提供依据，给出相应的设计优化建议。
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