公开(公告)号：CN118523058A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410680047.0

申请日：2024-05-29

Applicant: 电子科技大学 ,  中国航天科工集团八五一一研究所

Inventor： 王政 ,  牛文浩 ,  段轩 ,  谢倩 ,  韩婷婷 ,  田密 ,  朱伟强 ,  谢恒 ,  赵子明 ,  李由 ,  贡业轩 ,  张子琳 ,  王瑾

IPC: H01P5/16

Abstract: 本发明公开了一种基于变压器的四路功率合成结构，属于射频集成电路领域，包括变压器、隔离支路、匹配电容和去耦电容。通过在两级变压器之间引入并联的匹配电容实现了输入端口的良好匹配，通过两级变压器实现了差分到单端转换的功能；通过在变压器之间引入并联的隔离支路，实现了输入端口之间的有效隔离。综上，本发明提供一种带有隔离、阻抗匹配、差分到单端转换等功能的基于变压器的四路功率合成结构。与传统的威尔金森功率合成器相比，本发明占用面积较小，除端口隔离以及功率合成的功能外，还同时具有阻抗匹配、差分到单端转换等功能。

公开(公告)号：CN108365823A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810234601.7

申请日：2018-03-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 谢恒 ,  薛力源 ,  樊勇 ,  宋开军

IPC: H03B5/12

Abstract: 本发明属于微波电路领域，具体提供一种基于场效应管的大变容比压控变容电路，包括：压控端口、扼流电感、限制器、N个前级支路、M个后级支路及变容端口，其中，N≥1，M≥1；控制电压接入压控端口，其负极接地、正极依次串联扼流电感与限制器；所述前级支路由前级电容与前级场效应管构成，其中，前级场效应管的源极和漏极相连并接地、栅极与限制器连接，且前级场效应管的栅极串联前级电容后接入变容端口；所述后级支路由后级电容与后级场效应管构成，其中，后级场效应管的栅极与限制器连接、源极接地、漏极串联第二后级电容后接入变容端口。本发明有效实现了大变容比变容电路结构，结构简单且可扩展性好，能够灵活调节变容范围。

公开(公告)号：CN108365823B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201810234601.7

申请日：2018-03-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 谢恒 ,  薛力源 ,  樊勇 ,  宋开军

IPC: H03B5/12

Abstract: 本发明属于微波电路领域，具体提供一种基于场效应管的大变容比压控变容电路，包括：压控端口、扼流电感、限制器、N个前级支路、M个后级支路及变容端口，其中，N≥1，M≥1；控制电压接入压控端口，其负极接地、正极依次串联扼流电感与限制器；所述前级支路由前级电容与前级场效应管构成，其中，前级场效应管的源极和漏极相连并接地、栅极与限制器连接，且前级场效应管的栅极串联前级电容后接入变容端口；所述后级支路由后级电容与后级场效应管构成，其中，后级场效应管的栅极与限制器连接、源极接地、漏极串联第二后级电容后接入变容端口。本发明有效实现了大变容比变容电路结构，结构简单且可扩展性好，能够灵活调节变容范围。