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公开(公告)号:CN118299802A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410369590.9
申请日:2024-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种应用于毫米波探测的Ka/V波段双频锥状天线,包括上半部分的方型金属结构、下半部分的方型金属结构、同轴波导、开口圆波导和馈电网络;开口圆波导为主要辐射部分,通过同轴波导过渡到开口圆波导,使开口圆波导工作在TM模式,以产生径向对称的电场分布,通过调整开口圆波导的尺寸,使得开口圆波导中存在TM01模和TM02模,以分别产生Ka/V波段电磁波。本发明利用屏蔽微带线激励起同轴波导的基模TEM模再过渡到圆波导的TM模,能够抑制其他不需要的模式,从而能够使天线的全向辐射更均匀。同轴波导为半径变化的阶梯式同轴波导。波导内径阶梯变化的结构可以很好地实现阻抗匹配。结构简单,易于实现,并且具有双频双倾角的辐射特性。
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公开(公告)号:CN114336074B
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202210001805.2
申请日:2022-01-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有独立可开关特性的双频带通型频率选择表面,属于频率选择表面技术领域。该频率选择表面为多层PCB结构,包括两层矩形贴片、两层介质层和一层金属地板;该频率选择表面基于矩形贴片的主模TM010及其第一高次模TM100实现了双频响应;同时,在两层矩形贴片上分别加载PIN二极管,通过直流偏置信号对两层上的加载二极管分别控制,从而实现对两个工作频率的独立可开关控制。并且,FSS单元为对称结构,可选通任意线极化入射的电磁波,具有较强的实用性。
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公开(公告)号:CN116315635A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310255332.3
申请日:2023-03-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于可重构天线技术领域,具体提供一种基于共模和差模理论的方向图可重构天线,用以解决现有方向图可重构天线存在的尺寸过大、成本较高、结构复杂及重构状态少等问题,进而满足天线小型化、低成本、多状态方向的发展需求。本发明基于共模/差模原理,多组态方向图共用同一辐射单元,采用双馈电结构,对其一单独馈电时、天线产生正向辐射方向图或锥形方向图,对两个耦合馈电结构等幅同相或反相馈电时、天线产生左倾斜方向图或右倾斜方向图。综上,本发明能够实现正向辐射方向图、锥形方向图和左右两种倾斜方向图之间的重构,重构方式简单且具有普适性;同时,天线具有结构简单、尺寸小与成本低等优点。
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公开(公告)号:CN114448483B
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202111305992.5
申请日:2021-11-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B7/06
Abstract: 本发明提供一种基于非均匀子阵结构的低副瓣波束赋形方法,包括:确定子阵类型以及相关参数;建立并求解非凸优化问题的非均匀间距子阵优化模型得到最佳阵列激励与阵元位置;根据得到最佳阵列激励、最佳阵元位置以及确定的子阵类型完成波束赋形。本发明通过联合优化阵元位置、子阵结构和子阵激励值,从而得到满足阵元间距约束的子阵级波束赋形阵列,实现非均匀子阵结构的低副瓣波束赋形。相较于传统子阵级波束赋形方法,本发明在相同子阵个数约束的条件下,能够获得更低的主瓣纹波和副瓣电平,适用于任何波束形式。
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公开(公告)号:CN114883808B
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202210562233.5
申请日:2022-05-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于SIW的单层三通带频率选择表面,属于人工电磁材料技术领域。该频率选择表面仅设置一层介质基板,通过SIW技术与传统方环型FSS相结合,实现三个通带,且该频率选择表面具有对称特征,使得整体具有双极化特性,且在不同极化下可以保持高达40°的高角度稳定性。
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公开(公告)号:CN111262612B
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202010047703.5
申请日:2020-01-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于笔形波束的阵列赋形波束解析合成方法,设计的阵列权系数的计算只与阵列单元个数和角度采样相关,可以对阵列权系数进行直接描述,即通过解析方法来计算阵列权系数以完成波束合成,包括步骤:1)初始化步骤;2)确定笔形波束对应的阵列权系数wPBP;3)根据笔形波束对应的阵列权系数wPBP构造笔形波束;4)利用笔形波束构建主瓣内各采样点对应的阵列波束向量FPBP;5)计算赋形波束对应的加权系数6)得到合成的赋形波束fSBP(θ)与阵列中各个阵元的阵列权系数ωn。本发明大大加快了阵列赋形波束的合成速度,适应于解决大型阵列波束赋形问题。
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公开(公告)号:CN111062142B
公开(公告)日:2022-10-14
申请号:CN201911391940.7
申请日:2019-12-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于线性规划的阵列天线宽波束增益优化方法,以阵列天线的功率增益为代价函数,构建以阵列权系数为变量的线性规划问题,直接求解阵列权系数,通过阵列单元的优化加权,实现阵列天线宽波束增益优化。相比较于传统以天线方向图为代价函数的方法,本发明提高宽主瓣内的最小增益值,从而在宽主瓣波束范围内,得到比传统方法更高的阵列天线的增益。
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公开(公告)号:CN114741649A
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN202210310669.5
申请日:2022-03-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于SDAE‑DNN的低信噪比波达方向估计方法。SDAE‑DNN包含两个神经网络,SDAE用来实现信号降噪,DNN用来实现DOA估计。先是使用稀疏降噪自编码器SDAE对有损信号进行分析从而可以将有损信号恢复为原始信号,得到SDAE的编码权重后基于迁移学习策略赋予深度神经网络DNN作为初始权重,实现DNN从有损信号向原始信号的编码,提高DNN的抗噪能力。然后DNN对阵列接收信号进行分析,构建实际信号角度与预测信号角度之间的重构误差,使用反向传播算法优化训练减小损失函数误差,从而得到信号的角度,实现目标的实时跟踪。
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公开(公告)号:CN114336074A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202210001805.2
申请日:2022-01-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有独立可开关特性的双频带通型频率选择表面,属于频率选择表面技术领域。该频率选择表面为多层PCB结构,包括两层矩形贴片、两层介质层和一层金属地板;该频率选择表面基于矩形贴片的主模TM010及其第一高次模TM100实现了双频响应;同时,在两层矩形贴片上分别加载PIN二极管,通过直流偏置信号对两层上的加载二极管分别控制,从而实现对两个工作频率的独立可开关控制。并且,FSS单元为对称结构,可选通任意线极化入射的电磁波,具有较强的实用性。
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公开(公告)号:CN110705058B
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN201910886998.2
申请日:2019-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种针对超电大尺寸规模目标的近场电磁散射仿真方法:导入STL格式的模型文件,读取构成雷达目标的每个三角面元的相关信息;输入需要计算的参数;判断面元是否被入射波照亮,并标记打亮的面元;对每个被标记为照亮的三角面元,计算其表面电流和磁流:求解出每个被标记为照亮的三角面元引起的散射场将所有被标记为照亮的三角面元的散射场Esn都求解完毕后,根据矢量叠加原理,将其全部相加,得到总散射场;根据下式得到近场情况下雷达目标的RCS值σ0,并输出结果:本发明填补了目标近场RCS仿真算法领域的空白,特别是近场散射条件下不同面元的电磁仿真处理方式,更切合于实际工程场景。
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