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公开(公告)号：CN112898756B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110255074.X
申请日：2021-03-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电响应形状记忆复合材料及其制备方法，属于智能材料领域，所述电响应形状记忆复合材料由形状记忆聚合物和导电驱动层制成，所述导电驱动层嵌入并包覆于形状记忆聚合物表面，能够实现在低电压条件下对形状记忆材料进行驱动并具有快速响应、形状回复率高、生物相容性好、可生物降解。
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公开(公告)号：CN113293655A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110589467.4
申请日：2021-05-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种厚度可控新型结构MXene复合薄膜的制备方法，解决现有的MXene复合薄膜结构单一，复合薄膜力学性能、电磁屏蔽性能低的技术问题。本方法：一、制备Ti3C2纳米片水溶液；二、制备芳纶纳米纤维水溶液；三、将芳纶纳米纤维水溶液以及Ti3C2水溶液采用交替真空抽滤的方法成膜，热压后得到交替叠层的MXene‑芳纶纳米纤维复合薄膜。通过控制每层膜间厚度，该复合薄膜在不同层数下的电磁屏蔽性能SET可从26dB‑40dB，薄膜的拉伸强度可以达到160～250MPa，并且耐弯曲，耐折叠，制备工艺简单，可用于各个领域领域。
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公开(公告)号：CN113293655B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110589467.4
申请日：2021-05-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种厚度可控新型结构MXene复合薄膜的制备方法，解决现有的MXene复合薄膜结构单一，复合薄膜力学性能、电磁屏蔽性能低的技术问题。本方法：一、制备Ti3C2纳米片水溶液；二、制备芳纶纳米纤维水溶液；三、将芳纶纳米纤维水溶液以及Ti3C2水溶液采用交替真空抽滤的方法成膜，热压后得到交替叠层的MXene‑芳纶纳米纤维复合薄膜。通过控制每层膜间厚度，该复合薄膜在不同层数下的电磁屏蔽性能SET可从26dB‑40dB，薄膜的拉伸强度可以达到160～250MPa，并且耐弯曲，耐折叠，制备工艺简单，可用于各个领域领域。
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公开(公告)号：CN112898756A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110255074.X
申请日：2021-03-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电响应形状记忆复合材料及其制备方法，属于智能材料领域，所述电响应形状记忆复合材料由形状记忆聚合物和导电驱动层制成，所述导电驱动层嵌入并包覆于形状记忆聚合物表面，能够实现在低电压条件下对形状记忆材料进行驱动并具有快速响应、形状回复率高、生物相容性好、可生物降解。
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