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公开(公告)号：CN116014454B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202211512068.9
申请日：2022-11-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低旁瓣高XPD毫米波间隙波导缝隙阵列天线，属于天线技术领域。该天线包括：用于给天线子阵馈电的矩形波导馈电网络、以及4个天线子阵；4个天线子阵绕各自的中心点依次旋转θ°、‑θ°、180°‑θ°、180°+θ°，呈“X”型布局，各子阵馈入电场的相位依次为0°、0°、180°、180°，且馈入各子阵的电场幅度相等。本发明阵列采用“X”型布局，不但能获得较高的XPD(交叉极化鉴别率)，还能有效降低辐射方向图的旁瓣水平，使E面和H面方向图满足欧洲电信标准协会(ETSI)EN302标准的Class2包络等级。此外，本发明的天线子阵采用脊间隙波导技术，具有较宽的驻波带宽，在V‑Band(57GHz～66GHz)中的S11≤‑17dB，而低于‑10dB的驻波带宽为19.84％(55.35GHz～67.54GHz)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116231338A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211695033.3
申请日：2022-12-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低旁瓣毫米波间隙波导缝隙阵列天线，属于天线技术领域。该阵列天线包括从下至上依次设置的金属板M1、空气间隙层A1、金属板M2、空气间隙层A2、金属板M3；其中金属板M1及其上方的下层金属柱和金属脊、空气间隙层A1、金属板M2共同构成间隙波导馈电网络；金属板M2及其上方的上层金属柱、空气间隙层A2、金属板M3共同构成间隙波导背腔耦合网络；金属板M2上设置有90°扭波导单元，金属板M3上设置有辐射单元。本发明通过辐射单元改变天线E面和H面方向图的切面，从而获得极低旁瓣；通过合理设计各部分结构，在整个工作频段V‑Band中的S11≤‑15dB，XPD＞30.3dB，口径效率高于79.2％，E面和H面主极化方向图满足该频段欧洲电信标准协会EN 302标准的最高包络等级。
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公开(公告)号：CN115732873A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211440474.9
申请日：2022-11-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超宽带薄片式90°扭波导，属于微波和毫米波波导系统或波导器件技术领域。该90°扭波导为中心对称结构，通过在方波导的一对角处切除尺寸相同的小长方体，在另一对角处切除尺寸相同的大长方体，然后在大长方体邻近方波导中轴线的棱处再向内切除一个三棱柱状凹陷，整体外形呈“X”型。本发明结构简单紧凑，性能优异，在特定条件下能与两极化正交的矩形波导组成一个一体化加工的90°扭波导，而其中“超宽带”和“一体化加工”两大特点，是本发明对传统技术和现有技术的一种重要突破，有较大的工程价值。
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公开(公告)号：CN116231338B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202211695033.3
申请日：2022-12-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低旁瓣毫米波间隙波导缝隙阵列天线，属于天线技术领域。该阵列天线包括从下至上依次设置的金属板M1、空气间隙层A1、金属板M2、空气间隙层A2、金属板M3；其中金属板M1及其上方的下层金属柱和金属脊、空气间隙层A1、金属板M2共同构成间隙波导馈电网络；金属板M2及其上方的上层金属柱、空气间隙层A2、金属板M3共同构成间隙波导背腔耦合网络；金属板M2上设置有90°扭波导单元，金属板M3上设置有辐射单元。本发明通过辐射单元改变天线E面和H面方向图的切面，从而获得极低旁瓣；通过合理设计各部分结构，在整个工作频段V‑Band中的S11≤‑15dB，XPD＞30.3dB，口径效率高于79.2％，E面和H面主极化方向图满足该频段欧洲电信标准协会EN 302标准的最高包络等级。
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公开(公告)号：CN115732873B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211440474.9
申请日：2022-11-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超宽带薄片式90°扭波导，属于微波和毫米波波导系统或波导器件技术领域。该90°扭波导为中心对称结构，通过在方波导的一对角处切除尺寸相同的小长方体，在另一对角处切除尺寸相同的大长方体，然后在大长方体邻近方波导中轴线的棱处再向内切除一个三棱柱状凹陷，整体外形呈“X”型。本发明结构简单紧凑，性能优异，在特定条件下能与两极化正交的矩形波导组成一个一体化加工的90°扭波导，而其中“超宽带”和“一体化加工”两大特点，是本发明对传统技术和现有技术的一种重要突破，有较大的工程价值。
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公开(公告)号：CN116014454A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211512068.9
申请日：2022-11-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低旁瓣高XPD毫米波间隙波导缝隙阵列天线，属于天线技术领域。该天线包括：用于给天线子阵馈电的矩形波导馈电网络、以及4个天线子阵；4个天线子阵绕各自的中心点依次旋转θ°、‑θ°、180°‑θ°、180°+θ°，呈“X”型布局，各子阵馈入电场的相位依次为0°、0°、180°、180°，且馈入各子阵的电场幅度相等。本发明阵列采用“X”型布局，不但能获得较高的XPD(交叉极化鉴别率)，还能有效降低辐射方向图的旁瓣水平，使E面和H面方向图满足欧洲电信标准协会(ETSI)EN302标准的Class2包络等级。此外，本发明的天线子阵采用脊间隙波导技术，具有较宽的驻波带宽，在V‑Band(57GHz～66GHz)中的S11≤‑17dB，而低于‑10dB的驻波带宽为19.84％(55.35GHz～67.54GHz)。
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