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公开(公告)号：CN109148678B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810878651.9
申请日：2018-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L35/28
Abstract: 本发明公开的一种基于自旋塞贝克效应的非制冷红外传感器装置包括由下至上依次设置的硅基底、二氧化硅衬底、敏感材料层、红外吸收层、顺磁材料层和电极层。硅基底中心位置设置隔热空腔；二氧化硅衬底三个侧面设置隔热缝隙；红外吸收层面积小于敏感材料层面积，设置在远离未设置隔热缝隙的一侧敏感材料层的上方；顺磁材料层由顺磁性材料蒸镀成窄条状，位于未设置隔热缝隙的一侧敏感材料层的上方；电极层蒸镀在窄条状顺磁材料层长度方向的两端。与传统的非制冷红外传感器相比，本发明的红外传感器响应率提高了一个数量级，比探测率提高了两个数量级，对红外辐射有更高的探测灵敏度同时具有更低的噪声水平。
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公开(公告)号：CN109148678A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810878651.9
申请日：2018-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L35/28
Abstract: 本发明公开的一种基于自旋塞贝克效应的非制冷红外传感器装置包括由下至上依次设置的硅基底、二氧化硅衬底、敏感材料层、红外吸收层、顺磁材料层和电极层。硅基底中心位置设置隔热空腔；二氧化硅衬底三个侧面设置隔热缝隙；红外吸收层面积小于敏感材料层面积，设置在远离未设置隔热缝隙的一侧敏感材料层的上方；顺磁材料层由顺磁性材料蒸镀成窄条状，位于未设置隔热缝隙的一侧敏感材料层的上方；电极层蒸镀在窄条状顺磁材料层长度方向的两端。与传统的非制冷红外传感器相比，本发明的红外传感器响应率提高了一个数量级，比探测率提高了两个数量级，对红外辐射有更高的探测灵敏度同时具有更低的噪声水平。
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公开(公告)号：CN114755870B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210321224.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种频率片(frequency‑bin)纠缠双光子源，属于量子信息科学技术领域。本发明的频率片纠缠双光子源基于改进Sagnac环结构，通过正交偏振激光双向泵浦光纤耦合二阶非线性晶体波导中级联的二次谐波产生过程和自发参量下转换过程产生关联光子对，进而通过偏振控制、量子干涉和偏振分束产生频率片纠缠光子对。采用本发明结构获得的双光子具有高亮度、高纯度的优势，可实现频率片纠缠双光子源结构的小型化和集成化，且本发明所用器件均可采用现有的成熟光纤通信器件，具有较高的实用性。
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公开(公告)号：CN114755870A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210321224.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种频率片(frequency‑bin)纠缠双光子源，属于量子信息科学技术领域。本发明的频率片纠缠双光子源基于改进Sagnac环结构，通过正交偏振激光双向泵浦光纤耦合二阶非线性晶体波导中级联的二次谐波产生过程和自发参量下转换过程产生关联光子对，进而通过偏振控制、量子干涉和偏振分束产生频率片纠缠光子对。采用本发明结构获得的双光子具有高亮度、高纯度的优势，可实现频率片纠缠双光子源结构的小型化和集成化，且本发明所用器件均可采用现有的成熟光纤通信器件，具有较高的实用性。
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