-
公开(公告)号：CN113707717B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202111015795.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有多浮空场和集电极PMOS结构的功率器件。相比传统结构，本发明在集电极端引入自适应性PMOS结构，漂移区表面采用间断的浮空场板。正向导通时，集电极端PMOS沟道关闭，集电极端电子抽取路径被阻断而消除电压折回效应，且阻挡槽栅的存在将提高漂移区载流子浓度，新器件可获得低的正向导通压降。关断过程中，集电极PMOS沟道随集电极电压上升而自适应性开启形成电子抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。同时，由于浮空场板群的存在，阻断状态下，器件的表面电场得到优化，使得新器件可以在维持耐压等级不变的情况下，缩短漂移区长度，进一步降低器件的导通压降和关断损耗。
-
公开(公告)号：CN113707717A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111015795.X
申请日：2021-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有多浮空场和集电极PMOS结构的功率器件。相比传统结构，本发明在集电极端引入自适应性PMOS结构，漂移区表面采用间断的浮空场板。正向导通时，集电极端PMOS沟道关闭，集电极端电子抽取路径被阻断而消除电压折回效应，且阻挡槽栅的存在将提高漂移区载流子浓度，新器件可获得低的正向导通压降。关断过程中，集电极PMOS沟道随集电极电压上升而自适应性开启形成电子抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。同时，由于浮空场板群的存在，阻断状态下，器件的表面电场得到优化，使得新器件可以在维持耐压等级不变的情况下，缩短漂移区长度，进一步降低器件的导通压降和关断损耗。
-
公开(公告)号：CN113707716B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202111015593.5
申请日：2021-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有多浮空场板的自适应SOI LIGBT器件。相比传统结构，本发明在集电极端引入自适应性NMOS结构，漂移区表面采用间断的浮空场板。正向导通时，集电极端NMOS沟道关闭，集电极端电子抽取路径被阻断而消除电压折回效应，且阻挡槽栅的存在将提高漂移区载流子浓度，新器件可获得低的正向导通压降。关断过程中，随集电极电压上升，集电极NMOS沟道自适应性开启形成电子抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。同时，由于浮空场板群的存在，阻断状态下器件的表面电场得到优化，器件的表面电场得到优化，使得新器件可以在维持耐压等级不变的情况下，缩短漂移区长度，进一步降低器件的导通压降和关断损耗。
-
公开(公告)号：CN113707716A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111015593.5
申请日：2021-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/417
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有多浮空场板的自适应SOI LIGBT器件。相比传统结构，本发明在集电极端引入自适应性NMOS结构，漂移区表面采用间断的浮空场板。正向导通时，集电极端NMOS沟道关闭，集电极端电子抽取路径被阻断而消除电压折回效应，且阻挡槽栅的存在将提高漂移区载流子浓度，新器件可获得低的正向导通压降。关断过程中，随集电极电压上升，集电极NMOS沟道自适应性开启形成电子抽取路径，加速器件关断以降低关断损耗。同时，由于浮空场板群的存在，阻断状态下器件的表面电场得到优化，器件的表面电场得到优化，使得新器件可以在维持耐压等级不变的情况下，缩短漂移区长度，进一步降低器件的导通压降和关断损耗。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
