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公开(公告)号：CN109471053A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811215000.8
申请日：2018-10-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双约束的介电特性迭代成像方法，属于磁共振断层成像领域，首先通过磁共振成像设备获得成像所需要的MR收发相位数据；然后对MR收发相位数据进行高斯滤波处理，再将得到的收发相位代入对流反应方程中，利用有限差分方法将对流反应方程转换成线性系统方程；再将线性系统方程采用最小二乘方式构造全变分和小波的双约束优化问题，再通过Split Bregman方法对该优化问题进行迭代求解；最后将求解得到的结果取倒数从而得到介电特性中电导率分布的重建结果，本发明解决了传统介电特性成像方法存在误差较大，噪声影响严重以及临床适用性差的问题。
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公开(公告)号：CN109471053B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201811215000.8
申请日：2018-10-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于双约束的介电特性迭代成像方法，属于磁共振断层成像领域，首先通过磁共振成像设备获得成像所需要的MR收发相位数据；然后对MR收发相位数据进行高斯滤波处理，再将得到的收发相位代入对流反应方程中，利用有限差分方法将对流反应方程转换成线性系统方程；再将线性系统方程采用最小二乘方式构造全变分和小波的双约束优化问题，再通过Split Bregman方法对该优化问题进行迭代求解；最后将求解得到的结果取倒数从而得到介电特性中电导率分布的重建结果，本发明解决了传统介电特性成像方法存在误差较大，噪声影响严重以及临床适用性差的问题。
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