基于低维材料和异质结构的自旋发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:CN119300557A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411358776.0

    申请日:2024-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种基于三碘化铬(CrI3)和氟化的碳化钇(Y2CF2)异质结构的自旋发光二极管(SPIN LED)的结构及其制造方法。该自旋发光二极管由CrI3与Y2CF2材料构成的异质结构及其衬底组成,其中CrI3的衬底为铟(In)或金(Au),Y2CF2的衬底为二氧化硅(SiO2)。本发明采用低维材料及其异质结构,能够有效调节Spin LED的发光频率区间,从而拓展其在光通信、量子计算、显示技术等领域的应用范围。与现有技术相比,该器件具有低功耗、高发光效率、可调光谱响应范围和长寿命等显著优势。

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