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公开(公告)号：CN117955498A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311741713.9
申请日：2023-12-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模数混合集成电路技术领域，具体为一种基准电压可变型的分步式Flash ADC。本发明通过使用低压差线性稳压器得到一组基准电压，使得分步式的Flash ADC的每步量化的过程中，无需对电容阵列开关切换后生成的量化信号残差电压进行放大操作，即可更换Flash ADC基准电压后直接进行一下步的量化操作，不再加入残差放大结构，而是通过调低比较器模块的基准电压，直接对残差进行下一步的量化；从而通过调节比较器电路的基准电压，使得残差放大器的结构和残差放大的过程被省略，电路量化速度得到提升，电路设计难度和功耗得到下降。最终本发明提高了电路的量化速度，降低了电路设计的复杂度。
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公开(公告)号：CN117589318A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311555413.1
申请日：2023-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，涉及集成电路中的温度传感器，具体为一种基于RC振荡器的温度传感器。本发明利用具有正温特性和零温特性的电阻分别构成的RC振荡器输出两组具有一定温度特性的频率信号FN和FS，并将二者作比值得到温度线性度高的频率比值信号FS/FN，实现宽温度范围内的高精度感温；同时，由于FN和FS的频率表达式中都具有包含电源电压VDD的项，因此在作比值的过程中可以约掉，从而抵消部分电源电压波动的影响，使得该温度传感器具有较强的电源波动抑制能力；只需外部电源电压VDD的接入，而由自身产生参考基准频率和逻辑控制信号，扩大了传感器的应用范围。本发明电路结构简单的同时，在宽感温范围内实现了高精度的测量。
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公开(公告)号：CN117614454A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311723278.7
申请日：2023-12-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模数混合集成电路技术领域，具体涉及一种基于电容阵列的单通道差值量化高速N位TDC。本发明通过切换电容阵列的下极板连接电压，得到后一次采样信号模拟量和前一次采样信号量化的数字码字的差值，再通过电压时间转换器将电压域信号转化为时间域信号，进而通过时间数字转换器量化出差值结果，再与前一次采样信号数字码字做加法得到后一次采样信号量化的数字码字。本发明大大提高了TDC的量化速度，减少了高位量化次数，大大降低了电路功耗。
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公开(公告)号：CN116961666A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311006140.5
申请日：2023-08-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模数混合集成电路技术领域，具体涉及一种基于分裂式电容阵列的高速SAR ADC。本发明基于分裂式电容阵列，在SAR ADC的转换过程中，不需要对比较器的比较结果进行锁存，比较结果直接控制开关控制逻辑，从而对电容下极板电压进行切换，使得SAR ADC的环路延时只为比较器的比较时间tcomparator、开关切换时间tsw和电容阵列建立时间tcdac；由于通过检测分裂式电容阵列中每位电容下极板电压的切换状态，使得在每次量化周期内，仅有一个开关控制模块接受比较器的比较结果，从而保证量化的正确性。本发明SAR ADC的量化环路延时仅为比较器的比较时间、开关切换时间和CDAC建立的时间，大大提高了SAR ADC的工作速度。
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