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公开(公告)号:CN108376821B
公开(公告)日:2020-10-23
申请号:CN201810073360.2
申请日:2018-01-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/20
Abstract: 本发明涉及微波器件、传输线技术,具体涉及一种Ka波段基片集成波导魔T。本发明通过SIW魔T下层主波导采用圆楔形金属通孔使H‑T分支匹配,并使用感性金属膜片消除该圆楔形金属通孔产生寄生电容的影响,从而降低H臂端口的回波损耗。而上层E‑T分支由于电耦合会在耦合缝处产生寄生电容,所以使用感性金属块消除其影响,从而降低E臂端口的回波损耗。最终,本发明将SIW魔T的工作带宽提升至2GHz,幅度不平衡度降低至0.1dB。
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公开(公告)号:CN108376821A
公开(公告)日:2018-08-07
申请号:CN201810073360.2
申请日:2018-01-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/20
Abstract: 本发明涉及微波器件、传输线技术,具体涉及一种Ka波段基片集成波导魔T。本发明通过SIW魔T下层主波导采用圆楔形金属通孔使H-T分支匹配,并使用感性金属膜片消除该圆楔形金属通孔产生寄生电容的影响,从而降低H臂端口的回波损耗。而上层E-T分支由于电耦合会在耦合缝处产生寄生电容,所以使用感性金属块消除其影响,从而降低E臂端口的回波损耗。最终,本发明将SIW魔T的工作带宽提升至2GHz,幅度不平衡度降低至0.1dB。
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公开(公告)号:CN106602274B
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201611027913.8
申请日:2016-11-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于微波无源器件领域,具体为一种基片集成波导宽带角锥喇叭天线及其设计方法。由于角锥喇叭口的阻抗计算复杂且与基片集成波导阻抗相差较大,本发明通过采用二次函数曲线切刮掉SIW角锥喇叭天线H面上的铜层,从而实现回波损耗的降低。本发明相比现有SIW角锥喇叭天线,实现了更低的回波损耗。可应用于X波段,其回波损耗大于16dB。
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公开(公告)号:CN106602273A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201611027911.9
申请日:2016-11-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q13/02
CPC classification number: H01Q13/0283
Abstract: 本发明属于微波无源器件领域,具体为一种基片集成波导宽带角锥喇叭天线及其设计方法。由于角锥喇叭口的阻抗计算复杂且与基片集成波导阻抗相差较大,本发明通过采用二次函数曲线切刮掉SIW角锥喇叭天线H面上的铜层,从而实现回波损耗的降低。本发明相比现有SIW角锥喇叭天线,实现了更低的回波损耗。可应用于8GHz到11GHz内,回波损耗大于16dB。
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公开(公告)号:CN106602274A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201611027913.8
申请日:2016-11-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于微波无源器件领域,具体为一种基片集成波导宽带角锥喇叭天线及其设计方法。由于角锥喇叭口的阻抗计算复杂且与基片集成波导阻抗相差较大,本发明通过采用二次函数曲线切刮掉SIW角锥喇叭天线H面上的铜层,从而实现回波损耗的降低。本发明相比现有SIW角锥喇叭天线,实现了更低的回波损耗。可应用于X波段,其回波损耗大于16dB。
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