一种基片集成波导角锥喇叭天线及其设计方法

    公开(公告)号:CN106602273B

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201611027911.9

    申请日:2016-11-18

    Abstract: 本发明属于微波无源器件领域,具体为一种基片集成波导宽带角锥喇叭天线及其设计方法。由于角锥喇叭口的阻抗计算复杂且与基片集成波导阻抗相差较大,本发明通过采用二次函数曲线切刮掉SIW角锥喇叭天线H面上的铜层,从而实现回波损耗的降低。本发明相比现有SIW角锥喇叭天线,实现了更低的回波损耗。可应用于8GHz到11GHz内,回波损耗大于16dB。

    一种Ka波段基片集成波导魔T

    公开(公告)号:CN108376821B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201810073360.2

    申请日:2018-01-25

    Abstract: 本发明涉及微波器件、传输线技术,具体涉及一种Ka波段基片集成波导魔T。本发明通过SIW魔T下层主波导采用圆楔形金属通孔使H‑T分支匹配,并使用感性金属膜片消除该圆楔形金属通孔产生寄生电容的影响,从而降低H臂端口的回波损耗。而上层E‑T分支由于电耦合会在耦合缝处产生寄生电容,所以使用感性金属块消除其影响,从而降低E臂端口的回波损耗。最终,本发明将SIW魔T的工作带宽提升至2GHz,幅度不平衡度降低至0.1dB。

    一种Ka波段基片集成波导魔T

    公开(公告)号:CN108376821A

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201810073360.2

    申请日:2018-01-25

    Abstract: 本发明涉及微波器件、传输线技术,具体涉及一种Ka波段基片集成波导魔T。本发明通过SIW魔T下层主波导采用圆楔形金属通孔使H-T分支匹配,并使用感性金属膜片消除该圆楔形金属通孔产生寄生电容的影响,从而降低H臂端口的回波损耗。而上层E-T分支由于电耦合会在耦合缝处产生寄生电容,所以使用感性金属块消除其影响,从而降低E臂端口的回波损耗。最终,本发明将SIW魔T的工作带宽提升至2GHz,幅度不平衡度降低至0.1dB。

    一种基片集成波导角锥喇叭天线及其设计方法

    公开(公告)号:CN106602273A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611027911.9

    申请日:2016-11-18

    CPC classification number: H01Q13/0283

    Abstract: 本发明属于微波无源器件领域,具体为一种基片集成波导宽带角锥喇叭天线及其设计方法。由于角锥喇叭口的阻抗计算复杂且与基片集成波导阻抗相差较大,本发明通过采用二次函数曲线切刮掉SIW角锥喇叭天线H面上的铜层,从而实现回波损耗的降低。本发明相比现有SIW角锥喇叭天线,实现了更低的回波损耗。可应用于8GHz到11GHz内,回波损耗大于16dB。

Patent Agency Ranking