公开(公告)号：CN111162186A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201911391638.1

申请日：2019-12-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 于军胜 ,  李卓斌 ,  廖小青 ,  李璐

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件及其制备方法，所述的发光层由MCP、DMAC-DPS、4CzPNPh和PO-T2T材料中的至少2中形成的激基复合物组成，所述发光层具有阶梯式多反系间窜越过程的发光层结构。有效的提高了激子的反系间窜越速率，使得激子的利用率大幅提升，同时提高了器件的荧光量子产率，改善了传统全荧光器件激子利用率低的问题，其具有全荧光、反系间窜越速率高、荧光量子产率高等优点，有效的提高了白光器件的发光效率。

公开(公告)号：CN111162186B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201911391638.1

申请日：2019-12-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 于军胜 ,  李卓斌 ,  廖小青 ,  李璐

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种基于阶梯式多反系间窜越过程的有机白光发光器件及其制备方法，所述的发光层由MCP、DMAC‑DPS、4CzPNPh和PO‑T2T材料中的至少2中形成的激基复合物组成，所述发光层具有阶梯式多反系间窜越过程的发光层结构。有效的提高了激子的反系间窜越速率，使得激子的利用率大幅提升，同时提高了器件的荧光量子产率，改善了传统全荧光器件激子利用率低的问题，其具有全荧光、反系间窜越速率高、荧光量子产率高等优点，有效的提高了白光器件的发光效率。