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公开(公告)号:CN105645946B
公开(公告)日:2018-12-18
申请号:CN201610016251.8
申请日:2016-01-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J23/04 , C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 该发明公开了一种浸渍扩散阴极用含钪铝酸盐及其制备方法,属于微波电真空器件制造领域。本发明在5:1:2铝酸盐中加入适量的氧化钪,Sc2O3的质量占总质量的3~7wt.%,获得包含Ba3Al2O6和Ba2ScAlO5的两相结构,使浸渍该种含钪铝酸盐的阴极具有大电流密度发射的性能。同时本发明制备方法简便易操作,适用于工业生产。
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公开(公告)号:CN105645946A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201610016251.8
申请日:2016-01-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/622 , H01J23/04
CPC classification number: C04B35/44 , C04B35/622 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , H01J23/04
Abstract: 该发明公开了一种浸渍扩散阴极用含钪铝酸盐及其制备方法,属于微波电真空器件制造领域。本发明在5:1:2铝酸盐中加入适量的氧化钪,Sc2O3的质量占总质量的3~7wt.%,获得包含Ba3Al2O6和Ba2ScAlO5的两相结构,使浸渍该种含钪铝酸盐的阴极具有大电流密度发射的性能。同时本发明制备方法简便易操作,适用于工业生产。
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