一种基于功率因素校正的高效调功装置

    公开(公告)号:CN101976958A

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN201010537163.5

    申请日:2010-11-10

    CPC classification number: Y02B70/126

    Abstract: 本发明公开了一种基于功率因素校正的高效调功装置,包括:前端功率因素校正电路、后端功率调节电路和微控制器。通过相位捕获模块捕获从电网获得的正弦电压Uac的过零点,通过采样模块获得整流后的直流电压Ui、电流Ii及储能电容两端的电压Uc和绝缘栅双极型晶体管Q1、Q4或Q2、Q3导通时的输出电流Ic;然后输出脉冲触发信号J,控制前端功率因素校正电路中金属氧化物半导体场效应管的通断,输出脉冲触发信号J1、J4分别给绝缘栅双极型晶体管Q1、Q4,输出在时序上比脉冲触发信号J1、J4延迟1/2Tc,占空比相同的脉冲触发信号J2、J3分别给绝缘栅双极型晶体管Q2、Q3,控制绝缘栅双极型晶体管Q1~4的通断,最终使高效调功装置在输出负载所需较大功率的同时,保证近似为1的功率因数和极低的谐波分量。

    一种基于功率因素校正的高效调功装置

    公开(公告)号:CN101976958B

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201010537163.5

    申请日:2010-11-10

    CPC classification number: Y02B70/126

    Abstract: 本发明公开了一种基于功率因素校正的高效调功装置,包括:前端功率因素校正电路、后端功率调节电路和微控制器。通过相位捕获模块捕获从电网获得的正弦电压Uac的过零点,通过采样模块获得整流后的直流电压Ui、电流Ii及储能电容两端的电压Uc和绝缘栅双极型晶体管Q1、Q4或Q2、Q3导通时的输出电流Ic;然后输出脉冲触发信号J,控制前端功率因素校正电路中金属氧化物半导体场效应管的通断,输出脉冲触发信号J1、J4分别给绝缘栅双极型晶体管Q1、Q4,输出在时序上比脉冲触发信号J1、J4延迟1/2Tc,占空比相同的脉冲触发信号J2、J3分别给绝缘栅双极型晶体管Q2、Q3,控制绝缘栅双极型晶体管Q1~4的通断,最终使高效调功装置在输出负载所需较大功率的同时,保证近似为1的功率因数和极低的谐波分量。

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