公开(公告)号：CN115483893A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202211073194.9

申请日：2022-09-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王成 ,  吴瑞宏

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/30 ,  H03F1/56 ,  H03F3/19

Abstract: 本发明实施例提供了一种无电感的低温低噪声放大器电路、芯片及射频前端电路，该无电感的低温低噪声放大器电路由于采用无电感设计，能够直接提升芯片级LNA的集成度、Q值和噪声系数等性能指标；同时，一方面引入采用负反馈结构实现输入输出阻抗的最佳匹配，抑制寄生电容的影响，另一方面在多级放大单元的级间无电容，并结合恒流源进行直流耦合，可保证低频信号输入时的相位裕度足够大，进而实现电路整体的稳定。

公开(公告)号：CN115483893B

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202211073194.9

申请日：2022-09-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王成 ,  吴瑞宏

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/30 ,  H03F1/56 ,  H03F3/19

Abstract: 本发明实施例提供了一种无电感的低温低噪声放大器电路、芯片及射频前端电路，该无电感的低温低噪声放大器电路由于采用无电感设计，能够直接提升芯片级LNA的集成度、Q值和噪声系数等性能指标；同时，一方面引入采用负反馈结构实现输入输出阻抗的最佳匹配，抑制寄生电容的影响，另一方面在多级放大单元的级间无电容，并结合恒流源进行直流耦合，可保证低频信号输入时的相位裕度足够大，进而实现电路整体的稳定。