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公开(公告)号：CN116953836A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310615199.8
申请日：2023-05-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有红外隐身性能的抗氧化薄膜结构。其特征在于，所述具备红外隐身性能的功能层包括硅基底、沉积在基底的双层抗氧化金属薄膜层和半导体薄膜层以及抗氧化增强薄膜层，所述多层薄膜结构由上至下分别为二氧化硅薄膜层、锗薄膜层、钼薄膜层、锗薄膜层、钼薄膜层以及硅基底。本发明的红外隐身性能是通过设计优化薄膜层材料及其厚度等参数，来实现红外波段3.0‑5.0um和8.0‑14.0um的低发射率，5.0‑8.0um的宽频高发射率的性能。本发明具有光谱选择性突出、结构简单、厚度薄、成本低、抗氧化能力强、工艺制作简便等优点，可以覆盖于物体表面使其具有红外隐身性能，且在高温的反红外探测领域具有较好的的应用前景。
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