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公开(公告)号:CN103606586B
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201310636463.2
申请日:2013-12-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钽酸锂热释电材料的太赫兹线列探测器及其制备方法,首先从钽酸锂晶圆片上切片减薄获得线列探测器所需晶片尺寸,然后在晶片背面制备条形电极,形成探测器下电极,该电极亦为线列各单元公用电极;然后在晶片正面形成各单元所需上电极图形;然后结合光刻形成单元隔离槽。最后在下电极上制备太赫兹吸收层。至此得到线列探测器敏感元结构。该结构结合MEMS(微机电系统)加工技术,可获得良好的热隔离效果,且加工工艺相对于微桥结构太赫兹探测器较为简单。
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公开(公告)号:CN104252974A
公开(公告)日:2014-12-31
申请号:CN201410474699.5
申请日:2014-09-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造复合薄膜材料的方法,包括:将氧化石墨粉末分散在溶剂中,超声辅助下获得氧化石墨烯分散液;在氧化石墨烯分散液中加入硫酸锰粉末和高锰酸钾水溶液,反应生成二氧化锰,获得混合溶液;将混合溶液涂在基片上并烘干,获得氧化石墨烯/二氧化锰复合薄膜;用激光脉冲对所述氧化石墨烯/二氧化锰复合薄膜进行图形雕刻和还原处理,获得还原氧化石墨烯/二氧化锰复合薄膜。本发明的实施例中的方法,工艺简单,易于操作和控制,原料廉价,对环境友好,获得的复合薄膜具有高的电导率和大的比表面积,适合做电化学电容器电极,还可用于生物传感材料、锂离子电池的电极材料等方面。
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公开(公告)号:CN103606586A
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201310636463.2
申请日:2013-12-03
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L37/025 , H01L37/02
Abstract: 本发明公开了一种基于钽酸锂热释电材料的太赫兹线列探测器及其制备方法,首先从钽酸锂晶圆片上切片减薄获得线列探测器所需晶片尺寸,然后在晶片背面制备条形电极,形成探测器下电极,该电极亦为线列各单元公用电极;然后在晶片正面形成各单元所需上电极图形;然后结合光刻形成单元隔离槽。最后在下电极上制备太赫兹吸收层。至此得到线列探测器敏感元结构。该结构结合MEMS(微机电系统)加工技术,可获得良好的热隔离效果,且加工工艺相对于微桥结构太赫兹探测器较为简单。
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