公开(公告)号：CN104157737A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410404489.9

申请日：2014-08-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李世彬 ,  王健波 ,  张鹏 ,  余宏萍 ,  吴志明

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0288 ,  C23C14/48

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L21/26506 ,  C23C14/48 ,  H01L21/268 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明实施例公开了一种制造高红外吸收硅材料的方法，包括：制备硅衬底材料；在硅衬底材料上注入掺杂离子，形成掺杂层；用激光脉冲照射形成了掺杂层的硅衬底材料的表面，使该表面形成平整表面。本发明的实例的方法中，首先利用离子注入技术在硅衬底上形成高浓度掺杂，从而拓宽能带吸收，增加吸收率，然后利用低能激光脉冲照射修复表面损伤和缺陷且保持表面平整度。这样，不仅可以通过高浓度的表面掺杂拓宽能带吸收，而且通过控制激光脉冲能量可以减少离子注入带来的表面损伤及缺陷。同时，表面平整的硅材料利于后续的半导体加工，且工艺重复性和均匀性较好。

公开(公告)号：CN104064627A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410296521.6

申请日：2014-06-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李世彬 ,  王健波 ,  余宏萍 ,  张鹏 ,  吴志明

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明实施例公开了一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法，包括：获取P型重掺杂硅衬底；使用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀法（ICP-RIE）对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底表面上形成黑硅层；在黑硅层表面沉积钝化层。本发明的实施例的方法中，采用的是P型重掺杂硅衬底，并且选用ICP-RIE对硅表面进行刻蚀，由于ICP刻蚀选择比高，均匀性好，刻蚀的垂直度和光洁度较高，因此可以获得更好的截面形貌且污染较少。刻蚀之后获得的黑硅材料再通过原子层沉积(ALD)在黑硅层表面沉积一层Al2O3钝化层，可以降低反射，减少表面电荷复合率。

公开(公告)号：CN104020201A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410275104.3

申请日：2014-06-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李世彬 ,  张鹏 ,  余宏萍 ,  王健波 ,  吴双红 ,  陈志

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/30

Abstract: 本发明实施例公开了一种低温钯基氢气传感器，包括：阳极氧化铝支撑层；纳米金属钯颗粒层，设置在阳极氧化铝支撑层上；叉指电极，设置在所述纳米金属钯颗粒层上。本发明的实施例中提供的低温钯基氢气传感器及其制造方法以纳米金属钯颗粒层为气体敏感层，阳极氧化铝层（AAO）为支撑层，并采用金属叉指电极，获得的低温钯基氢气传感器对氢气具有良好的响应，相比传统的氢气传感器响应速度更快，工作温度更低，选择性良好，使用寿命长，而且工艺方法简单易操作，成本低廉，易于集成化，适合于大规模生产化要求。

公开(公告)号：CN103972382A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410178882.0

申请日：2014-04-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李世彬 ,  余宏萍 ,  张鹏 ,  王建波 ,  杨亚杰

IPC: H01L43/14

Abstract: 本发明实施例公开了一种制造半导体材料的方法，包括：对衬底基片进行预处理；将预处理后的衬底基片置于反应室中，在衬底基片上生长形成第一氮化铝层；在第一氮化铝层上生长形成氮化镓层；在氮化镓层上生长形成第二氮化铝层。根据本发明的实施例的方法制造的半导体材料中，形成了AlN/GaN/AlN结构的量子阱。在该量子阱结构中，由于AlN和GaN的自发极化不同，在两个异质结面行成相反的两种极化电荷，进一步的行成强的内建电场，驱使量子阱内能带反转，形成稳定的且低电阻的运输态。这样，不需要额外的外加电场驱使量子阱形成拓扑绝缘态，提高了半导体器件的稳定性和可靠性，降低了器件的能耗。

公开(公告)号：CN104022186A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410275185.7

申请日：2014-06-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李世彬 ,  张鹏 ,  余宏萍 ,  王健波 ,  李伟 ,  吴志明

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02686

Abstract: 本发明实施例公开了一种制造增强红外吸收黑硅材料的方法，包括：在硅衬底上形成微米量级的微结构单元阵列，并且微结构单元阵列的周期和/或微结构单元的直径与探测目标的红外波长相同或者成比例；将硅衬底置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照，获得增强红外吸收黑硅材料。本发明的实施例的方法中，在含硫气体环境中使用高能激光对硅衬底上周期性阵列结构进行辐照，形成微纳双重结构，并且在辐照过程中同时实现了硫元素掺杂。这样获得的黑硅材料的吸收波长得到扩展，吸收率更高，吸收波长范围更大；并且工艺步骤简单。