荧光体粉末和发光装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115989298A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202180051450.1

    申请日:2021-08-10

    Abstract: 本发明的荧光体粉末是含有无机化合物的荧光体粉末,所述无机化合物是在由Ba26Si51O2N84表示的结晶中、或者在具有与由Ba26Si51O2N84表示的结晶相同的晶体结构的无机结晶中固溶有Eu作为激活剂而成的,并以下述方式构成:在将波长450nm的激发光照射到该荧光体粉末而得到的发光光谱中,将处于750nm~950nm的范围的峰值波长的发光强度设为P0,将处于520nm~600nm的范围的峰值波长的发光强度设为P1时,P0、P1满足0.01≤P1/P0≤0.12。

    荧光体粉末、波长转换器及发光装置

    公开(公告)号:CN116917439B

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202280017924.5

    申请日:2022-02-25

    Abstract: 本发明涉及一种荧光体粉末,其含有下述通式(I)表示的荧光体。通式(I)中,M1至少含有La,也可以进一步含有选自除Y和La以外的镧系元素中的1种或2种以上的元素,M2至少含有Ba,也可以进一步含有选自Mg、Ca和Sr中的1种或2种以上的元素,x为0.005~0.2,y为0~0.1,z大于0.44且为0.99以下。(Eu(1-x)(1-z)M1xM2(1-x)z)2(Si1-yAly)5N8···(I)。

    荧光体
    3.
    发明公开
    荧光体 审中-实审

    公开(公告)号:CN118401632A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202280083927.9

    申请日:2022-11-25

    Abstract: 本发明的一个方式提供一种荧光体,其主晶相具有与Li2MgGeO4晶相相同的结构,含有4价铬作为活化元素,且在漫反射吸收光谱中,使波长330~430nm的漫反射吸收光谱的积分值为X、波长600~800nm的漫反射吸收光谱的积分值为Y时,Y/X的值为3.8以上。

    荧光体和荧光体的制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118401631A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202280083923.0

    申请日:2022-11-25

    Abstract: 本发明的一个方式提供一种荧光体,其主晶相具有与Li2MgGeO4晶相相同的结构,含有4价铬作为活化元素,且在照射波长450nm的光时得到的荧光光谱中,使波长700~900nm的光谱的积分值为X、波长1100~1300nm的光谱的积分值为Y时,Y/X的值为50以上。

    荧光体粉末、波长转换器及发光装置

    公开(公告)号:CN116917439A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202280017924.5

    申请日:2022-02-25

    Abstract: 本发明涉及一种荧光体粉末,其含有下述通式(I)表示的荧光体。通式(I)中,M1至少含有La,也可以进一步含有选自除Y和La以外的镧系元素中的1种或2种以上的元素,M2至少含有Ba,也可以进一步含有选自Mg、Ca和Sr中的1种或2种以上的元素,x为0.005~0.2,y为0~0.1,z大于0.44且为0.99以下。(Eu(1-x)(1-z)M1xM2(1-x)z)2(Si1-yAly)5N8···(I)。

    荧光体粉末的制造方法、荧光体粉末以及发光装置

    公开(公告)号:CN115917773A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202180051446.5

    申请日:2021-08-10

    Abstract: 本发明的荧光体粉末的制造方法是含有无机化合物的荧光体粉末的制造方法,上述无机化合物是在具有与由Ba26Si51O2N84表示的结晶、或者由Ba26Si51O2N84表示的结晶相同的晶体结构的无机结晶中固溶有Eu作为激活剂而成的;所述荧光体粉末的制造方法包括:混合工序,将包含构成上述无机化合物的各元素的原料混合,得到以如下方式配合而得的原料混合粉末:将原料混合粉末中的Ba、Si、Eu的摩尔比分别设为a、b、c时,满足b=51、a/b>(26-c)/51;煅烧工序,煅烧原料混合粉末而得到煅烧物;清洗处理工序,对煅烧物进行酸处理和/或水处理。

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