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公开(公告)号：CN101390187A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200780006845.X
申请日：2007-01-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 哈勒德·M·波辛 , 维克拉姆·辛 , 艾德蒙德·杰阔斯·温德
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明是有关于一种具有低有效天线电压的等离子体浸润离子源，其包括容纳处理气体的腔体，该腔体设有供电磁辐射穿过的介电窗。射频电源供应器产生射频信号。至少一具有降低的有效天线电压的射频天线连接至射频电源供应器。所述的至少一射频天线位于接近介电窗的位置以使射频信号电磁耦合进入腔体以激发并离子化处理气体，从而在腔体内产生等离子体。
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