公开(公告)号：CN1299526A

公开(公告)日：2001-06-13

申请号：CN99805709.6

申请日：1999-03-11

申请人： 瓦西里·伊万诺维奇·什韦金

发明人： 瓦西里·伊万诺维奇·什韦金 ,  亚历山大·彼得罗维奇·博加托夫 ,  亚历山大·叶夫根尼耶维奇·德拉基 ,  尤里·弗拉基米罗维奇·库林雅甫科

IPC分类号： H01S5/32

CPC分类号： H01S5/50 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/1085

摘要： 本发明涉及半导体光学放大器,该放大器把流入辐射引入有源区,以及,从所述区提取输出模式。这个放大器同时减小了像散角和色散角的值,增加了输入和输出口径、有效长度的放大区域、高功率输出、高亮度及在输入和输出辐射的方向上变化的宽范围。这个放大器使用预定范围的层的合成物和厚度用于整个的异质结构,包括有源层(6),也包括代表多个边界层(7、8)的几组层。至少这几组层之一整体地形成在输入－输出系统中,并沿着辐射输入－输出区(17)延伸。本发明也涉及输入和输出角的扩展范围,以及,使用具有相对有源层平面的预定倾斜角范围的辐射输入－输出区(17)的不同结构。本发明还涉及双路传输、多波束和多级半导体光学放大器,该放大器按照分立或集成产生。