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公开(公告)号：CN1434489A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN02141985.X
申请日：2002-08-30
Applicant: 瓦克硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/02008 , Y02P70/605
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体圆片的方法，该方法包含：在单一步骤内实施半导体圆片的双面同时研磨(1S－DDG)，其中该研磨加工是用以切削半导体圆片的唯一材料移除机械切削步骤。本发明还涉及具有改良的几何形状与毫微位相的半导体圆片。
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