公开(公告)号：CN108089051A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711045622.6

申请日：2017-10-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 首藤真 ,  河合一庆 ,  深泽光弥 ,  R·诺尔弗 ,  R·达尔比

IPC: G01R21/00 ,  G01R23/02

CPC classification number: G01R21/133 ,  G01R19/252 ,  H03G3/20 ,  H03H17/0621 ,  H03M1/1205 ,  H03M1/38 ,  H03M3/458 ,  G01R21/00 ,  G01R23/02

Abstract: 本公开涉及半导体器件和测量方法。需要高阶频率测量而不大幅增加消耗电流和芯片管芯尺寸。一种半导体器件包括：电功率测量部，执行电功率测量；高阶频率测量部，执行高阶频率测量；以及时钟控制器，向电功率测量部提供第一采样频率下的第一时钟信号，并且向高阶频率测量部提供第二采样频率下的第二时钟信号。第二采样频率高于第一采样频率。