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公开(公告)号：CN109427769A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811006607.5
申请日：2018-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01M10/42
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。源极电极能够响应于半导体器件的密集化被很好地图案化。第一MOS晶体管元件在第一元件区域中形成，并且第二MOS晶体管元件在第二元件区域中形成。第一源极电极被布置为跨第一栅极电极并且以第一栅极电极插入其间的方式在栅极长度方向上位于一侧和另一侧的第一源极层。第二源极电极被布置为跨第二栅极电极并且以第二栅极电极插入其间的方式在栅极长度方向上位于一侧和另一侧的第二源极层。
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