公开(公告)号：CN105470243B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201510626517.6

申请日：2015-09-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 渡部真平 ,  内田慎一 ,  前多正 ,  逸见和夫

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/48 ,  H01L23/24

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置。防止相对的两个半导体芯片之间的介质击穿，以提高半导体装置的可靠性。第一半导体芯片具有包括多个布线层的布线结构、形成在该布线结构中的第一线圈、和形成在该布线结构之上的绝缘膜。第二半导体芯片具有包括多个布线层的布线结构、形成在该布线结构中的第二线圈、和形成在该布线结构之上的绝缘膜。第一半导体芯片和第二半导体芯片隔着绝缘片一个堆叠在另一个之上，第一半导体芯片的绝缘膜和第二半导体芯片的绝缘膜彼此面对。第一线圈和第二线圈彼此磁耦合。然后，在每个第一和第二半导体芯片中，在最上层布线层处形成导线和伪导线。

公开(公告)号：CN105470243A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510626517.6

申请日：2015-09-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 渡部真平 ,  内田慎一 ,  前多正 ,  逸见和夫

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/48 ,  H01L23/24

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置。防止相对的两个半导体芯片之间的介质击穿，以提高半导体装置的可靠性。第一半导体芯片具有包括多个布线层的布线结构、形成在该布线结构中的第一线圈、和形成在该布线结构之上的绝缘膜。第二半导体芯片具有包括多个布线层的布线结构、形成在该布线结构中的第二线圈、和形成在该布线结构之上的绝缘膜。第一半导体芯片和第二半导体芯片隔着绝缘片一个堆叠在另一个之上，第一半导体芯片的绝缘膜和第二半导体芯片的绝缘膜彼此面对。第一线圈和第二线圈彼此磁耦合。然后，在每个第一和第二半导体芯片中，在最上层布线层处形成导线和伪导线。