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公开(公告)号:CN104124920A
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201410166667.9
申请日:2014-04-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/364 , H03B5/366 , H03B2200/0082 , H03B2200/0094 , H03B2201/0266
Abstract: 一种半导体装置,包括:与压电振动器的相应两端连接的第一和第二外部端子,其中压电振动器设置于外部;设置于第一和第二外部端子之间的反相放大器;把反相放大器的输出反馈到反相放大器的输入的反馈电阻;设置于第一外部端子与参考电压端子之间的第一电容元件;与第一电容元件串联地设置的第一电阻元件;设置于第二外部端子与参考电压端子之间的第二电容元件;以及与第二电容元件串联地设置的第二电阻元件。
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公开(公告)号:CN117318621A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202310718142.0
申请日:2023-06-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor: 西冈草志郎
Abstract: 一种半导体设备包括晶体振荡器电路、第一噪声施加电路和第二噪声施加电路。第一噪声施加电路被连接到晶体振荡器电路,并且被配置成通过向第一外部端子和第二外部端子选择性地施加相反相位的初始噪声来驱动晶体谐振器。第二噪声施加电路通过将第一外部端子处的信号放大并且将经放大的信号返回到第一外部端子,来向第一外部端子施加第二噪声,由此驱动晶体振荡器电路的振荡放大器和晶体谐振器,并且缩短晶体振荡器电路的启动时间。
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公开(公告)号:CN104124920B
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201410166667.9
申请日:2014-04-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/364 , H03B5/366 , H03B2200/0082 , H03B2200/0094 , H03B2201/0266
Abstract: 一种半导体装置,包括:与压电振动器的相应两端连接的第一和第二外部端子,其中压电振动器设置于外部;设置于第一和第二外部端子之间的反相放大器;把反相放大器的输出反馈到反相放大器的输入的反馈电阻;设置于第一外部端子与参考电压端子之间的第一电容元件;与第一电容元件串联地设置的第一电阻元件;设置于第二外部端子与参考电压端子之间的第二电容元件;以及与第二电容元件串联地设置的第二电阻元件。
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公开(公告)号:CN105305999A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201510332480.6
申请日:2015-06-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03B5/36 , G01R31/2824 , H03B5/366 , H03B2200/005 , H03B2201/0266 , H03L7/00
Abstract: 本公开涉及半导体集成电路器件和使用它的电子装置的制造方法。一种具有与晶体振荡器组合执行振荡的功能的半导体集成电路器件包含:第一阻抗元件,包含与晶体振荡器的一个端子耦合的第一外部端子、与晶体振荡器的另一端子耦合的第二外部端子和当执行振荡时与第一和第二外部端子耦合的第一和第二端子;与反馈阻抗元件的第一端子耦合的第一可变电容电路;和用于设定第一可变电容电路的电容值的配置电路。测量信号被供给到反馈阻抗元件的第二端子,并且,作为其响应,基于在第一端子上产生的观察信号关于测量信号的延迟时间由配置电路设定第一可变电容电路的电容值。
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