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公开(公告)号：CN105826293A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610058599.3
申请日：2016-01-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。实现半导体器件的性能的改善。半导体器件包括形成在衬底的上表面中的MISFET、叠置在衬底的上表面上方的多个布线层以及多个插塞，每一个插塞将布线层中的两个布线层彼此耦合。位于最上布线层下发的布线层包括导线。最上布线层包括焊盘、形成在焊盘上方的绝缘膜以及延伸穿过绝缘膜并到达焊盘的开口。在平面图中，MISFET和导线与开口重叠。在平面图中，多个插塞中没有一个与开口重叠。
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