公开(公告)号：CN117855153A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311200504.3

申请日：2023-09-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 木下顺弘 ,  椀泽光伸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件。根据一个实施例的一种半导体器件包括：具有芯绝缘层的布线衬底；安装在布线衬底的上表面上的半导体芯片；形成在布线衬底的下表面上的多个焊球；以及散热器，该散热器具有经由第一粘合层固定到半导体芯片的后表面的第一部分和位于第一部分周围并且经由第二粘合层固定到布线衬底的第二部分。这里，多个焊球的一部分布置在与散热器的第二部分和第二粘合层中的每一者交叠的位置处。此外，第二粘合层的第二厚度大于第一粘合层的第一厚度的两倍。

公开(公告)号：CN113314428A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110162639.X

申请日：2021-02-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 佐藤嘉昭 ,  椀泽光伸 ,  松本明 ,  出口善宣 ,  齐藤健太郎

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L27/11517

Abstract: 本公开涉及一种制造半导体器件的方法。在根据一个实施例的制造半导体器件的方法中，在提供包括非易失性存储器、焊盘以及包括有机材料的绝缘膜的半导体晶片之后，使探针接触位于第二区域中的焊盘的表面，并且数据被写入到非易失性存储器。在此，通过对有机材料执行第一热处理来形成绝缘膜。而且，在对半导体晶片执行第二热处理并检查其中被写入数据的非易失性存储器之后，通过使用电镀法来在位于第一区域中的焊盘的表面上形成阻挡层和第一焊料材料。此外，通过对第一焊料材料执行第三热处理来在第一区域中形成凸块电极。