公开(公告)号：CN102208348A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110078804.X

申请日：2011-03-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 利根川丘 ,  森田朋岳 ,  松坂则彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/28052 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/665 ,  H01L2221/1063

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。该方法包括：在硅区和绝缘膜上方形成金属膜；在含有氧作为主要成分的氧气氛下实施第一热处理，以通过使金属膜与硅区反应而在硅区中形成第一硅化物膜，以及同时通过从金属膜的表面侧对金属膜的整个表面进行氧化来形成金属氧化物；以及使用化学制品来选择性地去除金属氧化物和未反应的金属膜。