-
公开(公告)号：CN117747613A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311114398.7
申请日：2023-08-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 伊喜利勇贵
IPC: H01L27/07 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。根据一个实施例，半导体器件包括半导体衬底，其中，当从前表面侧察看时，半导体衬底包括：包括多个IGBT的IGBT区域；被布置成围绕IGBT区域的二极管区域；包括多个二极管的二极管区域；以及被布置成围绕二极管区域的外围区域，其中IGBT包括：漂移层、阻挡层、沟道层、发射极层、沟槽电极对60、沟槽绝缘膜、场停止层和集电极层；并且二极管包括漂移层、半导体层、沟道层、沟槽电极对、沟槽绝缘膜、场停止层和阴极层。
Search Results
1
records
(took 0.019 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
