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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN112992852A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011386134.3

申请日：2020-12-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久保俊次 , 安藤公一 , 井尾英治 , 田岛英幸 , 饭田哲也

IPC: H01L23/522 , H01L27/06 , H01L23/367

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括基座构件、多层布线层和第一电阻元件。多层布线层被形成在基座构件上。第一电阻元件被形成在多层布线层中。第一电阻元件包括第一导电部分、第二导电部分和第三导电部分。第二导电部分被形成在第一导电部分之上。第三导电部分将第一导电部分和第二导电部分彼此电连接。第三导电部分在沿基座构件的表面的第一方向上的长度，大于第三导电部分在沿基座构件的表面的第二方向上的长度，并且第二方向垂直于第一方向。

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