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公开(公告)号:CN119889406A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202411311576.X
申请日:2024-09-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C29/00
Abstract: 本公开涉及半导体装置、读取方法和程序。本发明提供了一种半导体装置,包括即使在所述半导体装置被推出后也能够进行数据写入的非易失性存储器(NVM)。当读取请求被发出时,半导体读取和输出所述NVM的所述区域中所存储的所述内容,代替只读存储器中所存储的所述指令代码中的所述替换目标数据。因此,在推出所示半导体装置后,即使缺陷(诸如脆弱性)在所述半导体装置启动时所使用的代码中被发现,替换数据可以被获得,代替要被更换的数据。也就是说,所述半导体装置使使用引导ROM代码的修改补丁的替换过程成为可能。
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公开(公告)号:CN117150494A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202310448594.1
申请日:2023-04-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06F21/57 , G11C11/4078
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体设备。一种半导体设备,包括处理器单元、存储引导程序的存储器、复位控制器、和地址检查单元。该复位控制器基于复位请求控制用于该处理器单元的复位并且向将用于在复位释放后要执行的该引导程序的引导地址输出到该处理器单元。该地址检查单元对从该复位控制器输出的该引导地址执行篡改检查并且基于篡改检查结果输出引导地址错误信号。
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