公开(公告)号：CN108346655B

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN201711432957.3

申请日：2017-12-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中岛幸治 ,  田中佳明

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和过电流保护装置。本发明的目的是抑制包括双向半导体开关的整个电路的导通电阻增加。该半导体装置包括通过共享漏电极而彼此反向串联耦合的垂直结构的第一主MOS晶体管和第二主MOS晶体管以及通过共享漏电极而彼此反向串联耦合的垂直结构的第一感测MOS晶体管和第二感测MOS晶体管。第一感测MOS晶体管用于检测第一主MOS晶体管的主电流，并且第二感测MOS晶体管用于检测第二主MOS晶体管的主电流。

公开(公告)号：CN108346655A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201711432957.3

申请日：2017-12-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中岛幸治 ,  田中佳明

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H03K17/0822 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/7815 ,  H02J7/0029 ,  H02J2007/0039 ,  H03K17/6874 ,  H03K2217/0027 ,  H03K2217/0054 ,  H01L27/0288

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置和过电流保护装置。本发明的目的是抑制包括双向半导体开关的整个电路的导通电阻增加。该半导体装置包括通过共享漏电极而彼此反向串联耦合的垂直结构的第一主MOS晶体管和第二主MOS晶体管以及通过共享漏电极而彼此反向串联耦合的垂直结构的第一感测MOS晶体管和第二感测MOS晶体管。第一感测MOS晶体管用于检测第一主MOS晶体管的主电流，并且第二感测MOS晶体管用于检测第二主MOS晶体管的主电流。