晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法

    公开(公告)号:CN112005323A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201980027009.2

    申请日:2019-04-08

    Abstract: 提供一种晶片电阻器,其可提高突波特性,且可高精度地微调整电阻值。晶片电阻器1具有电阻体5,其是以第1弯折部6与第2弯折部7隔着矩形状的调整部8而连续的方式印刷形成;通过在调整部8上形成第1修整槽9,而延长电阻体5的电流路径来提高突波特性,并且以电阻体5的电阻值接近目标电阻值的方式进行粗调整。又,通过在第2弯折部7中电流分布少的区域形成第2修整槽10,从而以随着第2修整槽10的切入量,电阻体5的电阻值与目标电阻值一致的方式进行微调整。

    晶片电阻器及晶片电阻器的制造方法

    公开(公告)号:CN112005323B

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN201980027009.2

    申请日:2019-04-08

    Abstract: 提供一种晶片电阻器,其可提高突波特性,且可高精度地微调整电阻值。晶片电阻器1具有电阻体5,其是以第1弯折部6与第2弯折部7隔着矩形状的调整部8而连续的方式印刷形成;通过在调整部8上形成第1修整槽9,而延长电阻体5的电流路径来提高突波特性,并且以电阻体5的电阻值接近目标电阻值的方式进行粗调整。又,通过在第2弯折部7中电流分布少的区域形成第2修整槽10,从而以随着第2修整槽10的切入量,电阻体5的电阻值与目标电阻值一致的方式进行微调整。

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