公开(公告)号：CN112326598A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011220730.4

申请日：2020-11-05

Applicant: 燕山大学

Inventor： 王书涛 ,  刘娜 ,  程琪 ,  逄博

IPC: G01N21/41

Abstract: 本发明涉及光学传感器芯片技术领域，尤其涉及一种二维材料增敏的表面等离子体共振传感器芯片，包括：高折射率棱镜、镍膜、二维材料BlueP/WS2、分析物；所述高折射率棱镜、镍膜、二维材料BlueP/WS2、分析物由下而上依次排列形成复合结构，本发明灵敏度有了极大的提高，适用于各种结构的表面等离子体传感器。

公开(公告)号：CN112345494B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202011165140.6

申请日：2020-10-27

Applicant: 燕山大学

Inventor： 王书涛 ,  刘娜 ,  程琪 ,  逄博

IPC: G01N21/41

Abstract: 本发明涉及一种石墨烯修饰的长程表面等离子体共振传感器芯片，属于测量技术领域，更具体地涉及传感器芯片技术领域，包括传感器芯片基体，所述传感器芯片基体为高折射率棱镜，所述传感器芯片基体的上方依次镀有介质Cytop层和半导体TDBC膜，所述半导体TDBC膜上涂有石墨烯层。本发明的灵敏度最大可为3243 RIU‑1，使传感器实现了对物质分子快速、高灵敏度、稳定的响应信号特性。

公开(公告)号：CN112345494A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011165140.6

申请日：2020-10-27

Applicant: 燕山大学

Inventor： 王书涛 ,  刘娜 ,  程琪 ,  逄博

IPC: G01N21/41

Abstract: 本发明涉及一种石墨烯修饰的长程表面等离子体共振传感器芯片，属于测量技术领域，更具体地涉及传感器芯片技术领域，包括传感器芯片基体，所述传感器芯片基体为高折射率棱镜，所述传感器芯片基体的上方依次镀有介质Cytop层和半导体TDBC膜，所述半导体TDBC膜上涂有石墨烯层。本发明的灵敏度最大可为3243 RIU‑1，使传感器实现了对物质分子快速、高灵敏度、稳定的响应信号特性。