公开(公告)号：CN1168847C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN02108906.X

申请日：2002-03-30

Applicant: 燕山大学

Inventor： 田永君 ,  王天生 ,  迟振华 ,  胡前库 ,  罗晓光 ,  漆汉宏

IPC: C23C16/38

Abstract: 本发明涉及一种新型超导材料-MgB2薄膜的原位热丝化学气相沉积制备方法。其要点是：该方法使用含B和Mg的气态化合物作反应气，其在热丝(4)作用下裂解，反应生成MgB2化合物并在基片(6)上生长成为薄膜。用该方法制备的MgB2超导薄膜具有如下特征：薄膜中不含MgO杂相，超导零电阻转变温度Tc0达到35K，这是目前国际上报道的原位制备的MgB2超导薄膜Tc0的最高值。

公开(公告)号：CN1386899A

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN02108906.X

申请日：2002-03-30

Applicant: 燕山大学

Inventor： 田永君 ,  王天生 ,  迟振华 ,  胡前库 ,  罗晓光 ,  漆汉宏

IPC: C23C16/38

Abstract: 本发明涉及一种新型超导材料——MgB2薄膜的原位热丝化学气相沉积制备方法。其要点是:该方法使用含B和Mg的气态化合物作反应气,其在热丝(4)作用下裂解,反应生成MgB2化合物并在基片(6)上生长成为薄膜。用该方法制备的MgB2超导薄膜具有如下特征:薄膜中不含MgO杂相,超导零电阻转变温度Tc0达到35K,这是目前国际上报道的原位制备的MgB2超导薄膜Tc0的最高值。