公开(公告)号：CN104900912A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510282131.8

申请日：2015-05-28

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  杨坤 ,  董建英 ,  芦磊

IPC: H01M10/0562

CPC classification number: H01M10/0562

Abstract: 一种钠快离子导体Na3PSe4，它是具有高离子导电特性的立方相结构的导体，其制备方法主要是将起始原料Na、P、以及Se在手套箱内称重并置于坩埚中，然后放入石英管中真空密封，在马弗炉中熔融，最后冷却至室温形成块体并制成粉末。本发明制备工艺简单，制得的Na3PSe4固体电解质的钠离子电导率最高超过1mS/cm，是目前硫族化合物中性能最高的。

公开(公告)号：CN104779375B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510108922.9

申请日：2015-03-12

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  杨坤 ,  董建英 ,  芦磊

IPC: H01M4/36 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00

Abstract: 一种基于硒掺杂的硫代锂离子超导体，其是一种分子式为Li10Ge1‑xMxP2S12‑2xSe2x(M＝Sn，Si)或Li10Ge1‑xMxP2S12‑2xSe1.5x(M＝Al)的物质，式中：0＜x≤1。上述基于硒掺杂的硫代锂离子超导体的制备方法主要是将含S和含Se的相关原料在行星球磨机中短时间球磨，再进行烧结，以0.5℃/分钟速率缓慢升温至500‑600℃，保温48小时，然后以1℃/分钟速率缓慢冷却形成固体晶态电解质材料即基于硒掺杂的硫代锂离子超导体。本发明制备工艺简单，制得的超导体材料不仅提高了离子电导率，降低了激活能，还拓宽了材料的电化学窗口。

公开(公告)号：CN104779375A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510108922.9

申请日：2015-03-12

Applicant: 燕山大学

Inventor： 张隆 ,  杨坤 ,  董建英 ,  芦磊

IPC: H01M4/36 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01M4/362 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00

Abstract: 一种基于硒掺杂的硫代锂离子超导体，其是一种分子式为Li10Ge1-xMxP2S12-2xSe2x(M＝Sn，Si)或Li10Ge1-xMxP2S12-2xSe1.5x(M＝Al)的物质，式中：0＜x≤1。上述基于硒掺杂的硫代锂离子超导体的制备方法主要是将含S和含Se的相关原料在行星球磨机中短时间球磨，再进行烧结，以0.5℃/分钟速率缓慢升温至500-600℃，保温48小时，然后以1℃/分钟速率缓慢冷却形成固体晶态电解质材料即基于硒掺杂的硫代锂离子超导体。本发明制备工艺简单，制得的超导体材料不仅提高了离子电导率，降低了激活能，还拓宽了材料的电化学窗口。