公开(公告)号：CN102381689A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110334471.2

申请日：2011-10-30

Applicant: 燕山大学

Inventor： 韩树民 ,  王继东 ,  翟继祖

IPC: C01B19/04 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种高单分散性碲化镉纳米晶体的合成方法，其主要将摩尔比为6～8:8:1:0.02～0.2：0.01的二水合醋酸镉、硬脂酸、碲粉、三辛基膦、十八烯在常温下装入带有冷凝管的三颈瓶中，在-1×104Pa以下的真空条件下，搅拌并加热到80～120℃，并保持该温度1～2小时。然后，通入氮气至104～105Pa，在氮气保护下继续搅拌和加热，生长温度升至220℃，升温速率为5～10℃∕min。本发明克服了现有的碲化镉纳米晶体合成技术中必须预先合成碲前驱体的缺点，简化了合成路径，通过调节生长温度，达到控制碲化镉纳米晶体粒径的目的，合成方法简单，CdTe纳米晶体的单分散性高，重复性好，易于工业化生产。

公开(公告)号：CN102381689B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201110334471.2

申请日：2011-10-30

Applicant: 燕山大学

Inventor： 韩树民 ,  王继东 ,  翟继祖

IPC: C01B19/04 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种高单分散性碲化镉纳米晶体的合成方法，其主要将摩尔比为6～8:8:1:0.02～0.2：0.01的二水合醋酸镉、硬脂酸、碲粉、三辛基膦、十八烯在常温下装入带有冷凝管的三颈瓶中，在-1×104Pa以下的真空条件下，搅拌并加热到80～120℃，并保持该温度1～2小时。然后，通入氮气至104～105Pa，在氮气保护下继续搅拌和加热，生长温度升至220℃，升温速率为5～10℃∕min。本发明克服了现有的碲化镉纳米晶体合成技术中必须预先合成碲前驱体的缺点，简化了合成路径，通过调节生长温度，达到控制碲化镉纳米晶体粒径的目的，合成方法简单，CdTe纳米晶体的单分散性高，重复性好，易于工业化生产。