公开(公告)号：CN116895911A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310917644.6

申请日：2023-07-25

Applicant: 燕山大学

Inventor： 邹国栋 ,  李金玉 ,  彭秋明 ,  王洋洋 ,  张柏文

IPC: H01M50/431 ,  H01M50/414 ,  H01M50/449 ,  H01M50/403 ,  H01M10/054

Abstract: 本申请涉及电化学技术领域，更具体地说，它涉及一种高性能镁硫电池隔膜及其制备方法。所述电池隔膜由钴单原子(CoSA)改性的二维过渡金属硼化物(MBenes)修饰制得，所述钴单原子占CoSA/MBenes材料的比例为0.1‑20wt.％。所制备的改性隔膜中Co和B对多硫化的共吸附作用，可以大幅提升多硫化物的活性吸附位点，具有优异的吸附性能和吸附容量，有效的抑制多硫化物的穿梭效应。

公开(公告)号：CN116895911B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202310917644.6

申请日：2023-07-25

Applicant: 燕山大学

Inventor： 邹国栋 ,  李金玉 ,  彭秋明 ,  王洋洋 ,  张柏文

IPC: H01M50/431 ,  H01M50/414 ,  H01M50/449 ,  H01M50/403 ,  H01M10/054

Abstract: 本申请涉及电化学技术领域，更具体地说，它涉及一种高性能镁硫电池隔膜及其制备方法。所述电池隔膜由钴单原子(CoSA)改性的二维过渡金属硼化物(MBenes)修饰制得，所述钴单原子占CoSA/MBenes材料的比例为0.1‑20wt.％。所制备的改性隔膜中Co和B对多硫化的共吸附作用，可以大幅提升多硫化物的活性吸附位点，具有优异的吸附性能和吸附容量，有效的抑制多硫化物的穿梭效应。

公开(公告)号：CN116553549A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310414919.4

申请日：2023-04-18

Applicant: 燕山大学

Inventor： 邹国栋 ,  万涵宸 ,  彭秋明 ,  张柏文

IPC: C01B32/90

Abstract: 本申请涉及MXenes二维材料的制备方法技术领域，更具体地说，它涉及一种利用等离子体刻蚀和修饰技术制备终端基团可控的MXenes材料的方法。可控终端基团MXenes材料的化学组成表达式为：Mn+1XnTx，其中M代表前过渡金属元素(Sc、Ti、V、Nb、Mo等)，X代表C或/和N元素，Tx代表Cl/Br/I/N/S/P/Si等终端基团基团中的一种或多种，所述MXenes材料包括Ti3C2Tx、Ti2CTx、Ti3CNTx、Ti2NTx、Ti4N3Tx、Ti2(CN)Tx、(Ti，V)2CTx、(Ti，Nb)2CTx、(Ti，Nb)4C3Tx、(Ti,V,Zr,Nb,Ta)2CTx、TiVNbMoC3Tx、TiVCrMoC3Tx、Mo3C2Tx、Mo2CTx、Mo2NTx、Mo1.33CTx、(Mo,V)4C3Tx、(Mo2Sc)C2Tx、(Mo2Ti)C2Tx、Mo2Ti2C3Tx、(Mo4V)C4Tx、Mo1.33Y0.66CTx、V2CTx、V2NTx、V4C3Tx、Nb2CTx、Nb1.33CTx、Nb4C3Tx、(Nb,Zr)4C3Tx、Cr2CTx、(Cr2V)C2Tx、VCrCTx、(Cr2Ti)C2Tx、Ta4C3Tx、Ta2CTx、Ti4N3Tx、Ti2NTx、(Ta,Ti)3C2Tx、W1.33CTx、Zr3C2Tx、Zr2CTx、Hf3C2Tx、Hf2CTx、Hf2NTx。纯度与产率都大大提高，并且可精准调控表面终端基团。

公开(公告)号：CN116553549B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202310414919.4

申请日：2023-04-18

Applicant: 燕山大学

Inventor： 邹国栋 ,  万涵宸 ,  彭秋明 ,  张柏文

IPC: C01B32/90

Abstract: 本申请涉及MXenes二维材料的制备方法技术领域，更具体地说，它涉及一种利用等离子体刻蚀和修饰技术制备终端基团可控的MXenes材料的方法。可控终端基团MXenes材料的化学组成表达式为：Mn+1XnTx，其中M代表前过渡金属元素(Sc、Ti、V、Nb、Mo等)，X代表C或/和N元素，Tx代表Cl/Br/I/N/S/P/Si等终端基团基团中的一种或多种，所述MXenes材料包括Ti3C2Tx、Ti2CTx、Ti3CNTx、Ti2NTx、Ti4N3Tx、Ti2(CN)Tx、(Ti，V)2CTx、(Ti，Nb)2CTx、(Ti，Nb)4C3Tx、(Ti,V,Zr,Nb,Ta)2CTx、TiVNbMoC3Tx、TiVCrMoC3Tx、Mo3C2Tx、Mo2CTx、Mo2NTx、Mo1.33CTx、(Mo,V)4C3Tx、(Mo2Sc)C2Tx、(Mo2Ti)C2Tx、Mo2Ti2C3Tx、(Mo4V)C4Tx、Mo1.33Y0.66CTx、V2CTx、V2NTx、V4C3Tx、Nb2CTx、Nb1.33CTx、Nb4C3Tx、(Nb,Zr)4C3Tx、Cr2CTx、(Cr2V)C2Tx、VCrCTx、(Cr2Ti)C2Tx、Ta4C3Tx、Ta2CTx、Ti4N3Tx、Ti2NTx、(Ta,Ti)3C2Tx、W1.33CTx、Zr3C2Tx、Zr2CTx、Hf3C2Tx、Hf2CTx、Hf2NTx。纯度与产率都大大提高，并且可精准调控表面终端基团。

公开(公告)号：CN116454259A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310447541.8

申请日：2023-04-24

Applicant: 燕山大学

Inventor： 邹国栋 ,  杨惟昊 ,  彭秋明 ,  王金铭 ,  张柏文

IPC: H01M4/46 ,  H01M10/054

Abstract: 本申请涉及镁二次电池技术领域，更具体地说，它涉及一种镁二次电池三维多孔负极材料的制备方法及应用。所述镁二次电池三维多孔负极材料的化学分子式为Mg‑xM，其中M代表Ca、Sn、Li、Zn、Al、Gd、Si、Cu、Cd、Mn、Sr、Y、Re、Sc、Zr、Ag金属元素中一种或几种，x为质量分数0‑30wt％。具有制备方法简单、成本低、三维多孔排列均匀等优点。