公开(公告)号：CN116334578B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202310283117.4

申请日：2023-03-22

Applicant: 烟台大学

Inventor： 张召 ,  檀卓鸣 ,  黄绪鹏 ,  于元昊 ,  侯俊鹏 ,  王立平 ,  马天琪

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种三维交联界面强韧化金刚石膜‑基系统制备方法，包括以下步骤：硬质合金基底超短脉冲激光加工三维微纳结构并进行脱Co；对基底表面三维微纳结构进行超声植晶；金刚石涂层生长，采用化学气相沉积技术（CVD）在硬质合金表面生长1μm左右厚度的微米晶金刚石涂层；通过调控金刚石锥的高度和多层膜调制周期实现三维交联界面结构的控制。本发明的有益效果在于：通过基底表面微纳结构、金刚石锥、微纳米交替金刚石涂层形成的三维交联界面有效抑制涂层内部以及膜基界面处的裂纹扩展，界面处产生裂纹屏蔽效应，减少微裂纹的归并现象，抑制贯穿裂纹的产生，达到提升涂层韧性和膜‑基界面断裂韧性的目的。

公开(公告)号：CN116334578A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310283117.4

申请日：2023-03-22

Applicant: 烟台大学

Inventor： 张召 ,  檀卓鸣 ,  黄绪鹏 ,  于元昊 ,  侯俊鹏 ,  王立平 ,  马天琪

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种三维交联界面强韧化金刚石膜‑基系统制备方法，包括以下步骤：硬质合金基底超短脉冲激光加工三维微纳结构并进行脱Co；对基底表面三维微纳结构进行超声植晶；金刚石涂层生长，采用化学气相沉积技术（CVD）在硬质合金表面生长1μm左右厚度的微米晶金刚石涂层；通过调控金刚石锥的高度和多层膜调制周期实现三维交联界面结构的控制。本发明的有益效果在于：通过基底表面微纳结构、金刚石锥、微纳米交替金刚石涂层形成的三维交联界面有效抑制涂层内部以及膜基界面处的裂纹扩展，界面处产生裂纹屏蔽效应，减少微裂纹的归并现象，抑制贯穿裂纹的产生，达到提升涂层韧性和膜‑基界面断裂韧性的目的。