一种超薄流延膜带的制备方法和流延膜带生产系统

    公开(公告)号:CN118893692A

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202411077968.4

    申请日:2024-08-07

    发明人: 马艳红 邱基华

    IPC分类号: B28B1/29 B28B11/24

    摘要: 本发明公开了一种超薄流延膜带的制备方法和流延膜带生产系统,所述制备方法包括以下步骤:S1:使供浆系统运送的浆料在气囊式脉冲阻尼器的缓冲下制备流延膜带,气囊式脉冲阻尼器中气囊压力为P,0.01MPa≤P≤0.05MPa;S2:使所述流延膜带以40~150m/min的运动速率运动并采用平行光束照射所述流延膜带,使所述流延膜带干燥;照射温度为30~100℃;照射宽度为300~500mm;平行光束的照射方向与膜带的运动方向垂直。该制备方法通过气囊式脉冲阻尼器缓冲供浆系统运送浆料产生的脉冲压力波动,确保供浆过程的稳定性,配合平行光束局部照射流延膜带,从而制得厚度均一性好、外观合格率高的流延膜带。

    一种复合电子元件及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN117153564A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311151012.X

    申请日:2023-09-06

    发明人: 马艳红 孙健

    摘要: 本申请公开了一种复合电子元件及其制备方法与应用,属于电子元器件领域。本申请所述复合电子元件中的第一组件中包括铁电材料,第二组件中包括复相陶瓷介电材料,所述复相陶瓷介电材料中顺电材料的加入可减少复合电子元件的介电常数衰减,增强复合电子元件的直流偏压性能;且本申请所述复合电子元件由于采用铁电材料与顺电材料相互配合,能够满足不同的容量需求,且产生的声学噪声较低,直流偏压效果较优异。

    一种陶瓷生坯的排胶方法及多层陶瓷电容器的制备方法

    公开(公告)号:CN117079974A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311274021.8

    申请日:2023-09-28

    发明人: 刘晗 马艳红

    摘要: 本发明涉及一种陶瓷生坯的排胶方法及多层陶瓷电容器的制备方法,属于陶瓷材料技术领域。所述排胶方法包括如下步骤:S1、将陶瓷生坯在第一气氛中进行排胶处理;S2、将经过步骤S1处理后的陶瓷生坯在第二气氛中进行排胶处理;S3、将经过步骤S2处理后的陶瓷生坯在第三气氛中进行排胶处理;所述第一气氛、第二气氛及第三气氛为相同或不同的排胶气氛,所述排胶气氛包括还原性气体、惰性气体、氧化性气体中的至少两种。本发明提供的排胶方法适于处理多层陶瓷电容器的陶瓷生坯,本发明通过优化排胶气氛,减少陶瓷生坯中的积碳量,减少坯体内部的构造缺陷,有利于提高电容器产品的良率,提高电容器产品的使用寿命。

    一种多层陶瓷电容器的制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116313511A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310378474.9

    申请日:2023-04-11

    发明人: 马艳红 孙健

    摘要: 本发明公开了一种多层陶瓷电容器的制备方法,包括如下步骤:步骤S1.将电介质浆料流延成生膜片,并在生膜片上印刷内电极浆料,形成内电极层;步骤S2.所述内电极层经叠层、压合、切割、排胶、烧结,得烧成层叠体;步骤S3.将端电极铜浆料覆盖在所述烧成层叠体上,烧端,到所述多层陶瓷电容器;所述端电极铜浆料包括铜粉和玻璃粉;所述玻璃粉包括二价及以上价态的金属氧化物;所述烧端的氧势值为600~800mv,烧端的温度为800~830℃,保温的时间为10~15min。本发明一方面通过在铜浆料的玻璃组分中引入导电组分,使得玻璃具有一定的导电性,另一方面通过对烧端工艺的控制和调节,使得上述导电组分部分还原,进一步增强导电组分的导电性,增强端电极结合力。

    一种陶瓷基板及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118908699A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202410894583.0

    申请日:2024-07-04

    发明人: 马艳红 孙健

    摘要: 本发明公开了一种陶瓷基板及其制备方法和应用;所述陶瓷基板的原料包括粉体,所述粉体包括以下质量百分数的组分:陶瓷粉95~97%,烧结助剂3~5%;所述烧结助剂包括硼酸镁和氢氧化镁。本发明中的陶瓷基板的表面平整性好,厚度极差不超过0.01mm,烧结后得到的陶瓷基板无需打磨或研磨加工,可以简化陶瓷基板的加工步骤,降低生产成本;陶瓷基板还具有较高的力学强度,韦伯强度超过400MPa,冲击强度>420MPa,较高的致密度,密度大于3.6cm2/g,满足高性能、高致密度、高强度陶瓷基板的使用要求。

    一种钛酸钡粉体及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118833853A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202410823897.1

    申请日:2024-06-25

    发明人: 邱基华 马艳红

    IPC分类号: C01G23/00 C04B35/468 H01G4/12

    摘要: 本发明公开了一种钛酸钡粉体及其制备方法与应用,该钛酸钡粉体的原料包括钛源、钡源、沉淀剂、添加剂和模板剂;其中,所述沉淀剂包括乙酸、乳酸、柠檬酸中的至少一种;所述添加剂包括聚羧酸铵盐;所述模板剂包括聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、司盘中的至少一种。本发明以特定种类的钛源、钡源、沉淀剂、添加剂和模板剂为原料制备的钛酸钡粉平均粒径小、分散性高、结晶度好;其中,添加剂聚羧酸铵盐具有配位和空间位阻的作用,针对钛源、钡源、沉淀剂、添加剂和模板剂形成的共沉淀前驱体,其配位和空间位阻作用能够提高共沉淀前驱体的分散性,阻止共沉淀前驱体团聚,从而有利于获得平均粒径小、分散性高、结晶度好的钛酸钡粉体。